Exploration of carbon nanotube and copper-carbon nanotube composite for next generation on-chip energy efficient interconnect applications Jie Liang To cite this version: Jie Liang. Exploration of carbon nanotube and copper-carbon nanotube composite for next genera- tion on-chip energy efficient interconnect applications. Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université Montpellier, 2019. English. NNT : 2019MONTS022. tel-02378303 HAL Id: tel-02378303 https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-02378303 Submitted on 25 Nov 2019 HAL is a multi-disciplinary open access L’archive ouverte pluridisciplinaire HAL, est archive for the deposit and dissemination of sci- destinée au dépôt et à la diffusion de documents entific research documents, whether they are pub- scientifiques de niveau recherche, publiés ou non, lished or not. 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TH ESE` POUR OBTENIR LE GRADE DE DOCTEUR DE L’UNIVERSIT E´ DE MONTPELLIER En Micro´electronique Ecole´ doctorale : Information, Structures, Syst`emes Unit´ede recherche LIRMM Exploration of Carbon Nanotube and Copper-Carbon Nanotube Composite for Next Generation On-chip Energy Efficient Interconnect Applications Pr´esent´ee par Jie LIANG le 17 Juin 2019 Sous la direction de Aida TODRI-SANIAL Devant le jury compos´ede Pascal Nouet Professeur LIRMM, UMR CNRS / Universit´ede Montpellier Pr´esident du Jury Aida Todri-Sanial Directrice de Recherche LIRMM, CNRS / Universit´ede Montpellier Directricedeth`ese Ian O’Connor Professeur Ecole´ Centrale de Lyon Rapporteur Jacques-Olivier Klein Professeur Universit´eParis-Sud Rapporteur Cristell Maneux Professeur Universit´ede Bordeaux Examinatrice Jean Dijon Directeur de Recherche CEA-LITEN, Universit´ede Grenoble Invit´e I dedicate my dissertation work to my family and many friends. A special feeling of gratitude to my loving parents, whose words of encouragement and push for tenacity ring in my ears. R´esum´e Dans les soci´et´es modernes, le style de vie rapide et efficace n´ecessite un ´echange d’informations rapide, pr´ecis et sˆur. Cette masse d’information est acquise par le biais de divers dispositifs reposant en grande majorit´esur des r´eseaux ´electroniques complexes ainsi que sur Internet. La ville intelligente, l’Internet des objets (IoT) et l’intelligence artificielle des objets (AIoT) sont actuellement des tendances essen- tielles du d´eveloppement technologique futur. L’informatique quantique et neuro- morphique `atr`es grande vitesse laisse entrevoir la possibilit´ede reprendre les archi- tectures de Von Neumann. Cependant, tous ces ´evolutions consomment une ´enorme quantit´ed’´energie. Satisfaire `ala fois les hautes performances et les ultra-basses con- sommation est au centre des d´efis pos´es aux technologies de la prochaine g´en´eration. Afin de r´epondre `ala demande en termes de quantit´ede donn´ees et d’efficacit´e ´energ´etique, la miniaturisation des produits micro´electroniques, plus pr´ecis´ement des transistors, coupl´ee `aune am´elioration des fonctionnalit´es et un coˆut r´eduit, ouvre la possibilit´ede r´epondre aux demandes susmentionn´ees. Cependant, l’am´elioration seule des performances des transistors des prochaines g´en´erations de puce n’est pas suffisante. Malgr´eleurs importances, les puces en elles-mˆemes ne repr´esentent qu’une petite partie du tr`es vaste et complexe puz- zle de la technologie de l’information. Ainsi, pour fa¸conner l’avenir du monde num´erique, nous devons ´egalement examiner la situation dans son ensemble. Les performances des transistors ne valent que dans le syst`eme dans lequels ils sont int´egr´es. Les microprocesseurs les plus rapides sont inutiles si la capacit´edes lignes de donn´ees n’est pas augment´ee en cons´equence. C’est l`a que les interconnexions ´electriques en cuivre (Cu) actuelles approcheront leurs limites physiques et pour- raient ne plus ˆetre en mesure de suivre le d´ebit de donn´ees d’un processeur. En fait, la fr´equence de fonctionnement des processeurs d’aujourd’hui est d´ej`ar´egie par les retards d’interconnexion et, en cours de fonctionnement, la plus grande partie de leur puissance est dissip´ee dans les interconnexions. Par cons´equent, le manque d’interconnexions am´elior´ees est `al’origine de la tendance actuelle `aune simple r´eduction de la taille des circuits sans mise `al’´echelle simultan´ee des performances de la technologie CMOS, contrairement aux d´ecennies pr´ec´edentes. Parall`element `ala forte augmentation de la r´esistance des cˆables d’interconnexion induite par la diminution des dimensions, les performances globales d’une puce se trouve domin´ees par les interconnexions pour la r´egion submicronique. Par- all`element `ala miniaturisation de la taille caract´eristiques des dispositifs, le d´elai intrins`eque de porte diminue et le d´elai d’interconnexion augmente consid´erablement et devient dominant pour les performances globales. Ob´eissez `ala loi de Moore [ 110 ] indique que les transistors sur puce seront r´eduits et doubl´es tous les deux ans afin v d’am´eliorer les performances et la production en volume. Toutefois, l’augmentation des performances des puces risque de se voir entrav´ee si seuls les p´eriph´eriques sont optimis´es mais que ceux-ci ne disposent pas des interconnexions appropri´ees. Par cons´equent, l’exploration et la recherche de mat´eriaux alternatifs pour conducteurs d’interconnexion sur puce sont essentielles et n´ecessaire pour les futures puces hautes performances et faible consommation. Pendant plusieurs d´ecennies, l’aluminium (Al) a ´et´eutilis´epour les intercon- nexions sur puce. En raison des contraintes de mise `al’´echelle des fils et de faible r´esistances des fils, le cuivre, avec sa faible r´esistivit´e, son faible coˆut et moins d’oxydation que l’aluminium, a ´et´ejusqu’`apr´esent la silution privil´egi´ee pour les fils d’interconnexion. Cependant, avec la r´eduction continue de la largeur de ligne des interconnexions en Cu, les performances et la fiabilit´edes conduc- teurs d’interconnexion requi`erent une attention particuli`ere pour suivre la mise `a l’´echelle des transistors. L’avancement de la photolithographie par fil m´etallique est ´egalement une composante importante du d´efi pos´e, la rugosit´ede la surface augmentant avec la largeur de raie du m´etal. Une densit´ede courant ´elev´ee en- traˆınera la rupture du mat´eriau d’interconnexion le long du chemin conducteur, ce qui provoquera ´egalement un dysfonctionnement du circuit et acc´el´erera le d´elai de la puce. Les deux probl`emes principaux des interconnexions actuelles en Cu sont la r´esistivit´econsid´erablement accrue et l’effet d’´electromigration important, qui posent les limites physique des interconnexions en Cu. Le cuivre en tant qu’interconnexion sur puce suivant un proc´ed´edamasc`ene afin de r´eduire davantage la r´eduction d’´echelle. Cependant, l’existence d’une couche barri`ere de tranch´ees d’interconnexion en Cu est n´ecessaire et ne peut ˆetre r´ealis´ee en dessous d’une certaine ´epaisseurs( 2 nm); par cons´equent, la fraction effective des lignes de Cu diminue consid´erablement∼ si des lignes tr`es minces avec une barri`ere induisent une augmentation importante de la r´esistance, encore moins de r´esistance `a l’´electromigration (EM) et en cons´equence une d´egradation des performances encore plus s´ev`ere. Par cons´equent, il est propos´eque des m´etaux alternatifs tels que le Ruthenium (Ru) et le Cobalt (Co) remplacent le Cu en conservant le proc´ed´ede Damas. Mˆeme si Ru et Co ont une r´esistivit´esup´erieure `a celle de Cu, du fait qu’ils ne poss`edent pas de barri`ere, la r´esistance effective `ala tranch´ee est inf´erieure `acelle du Cu. Le Graphene a ´et´ed´ecouvert en 2004 [ 116 ]. Le graph`ene est un arrangement en r´eseau hexagonal monocouche d’atomes de carbone. En raison de sa nature semi-m´etalliques et des propri´et´es particuli`eres qui en d´ecoulent, o`ula bande de conduction et la bande de valence se croisent au point de Dirac, ses ´electrons se comportent comme des fermions de Dirac sans masse qui produisent du graph`ene ayant une vitesse de transport et une densit´ede courant ´elev´ees. Par cons´equent, de nombreuses recherches sur le graph`ene sont conduites pour des applications ciblant les dispositifs micro-´electroniques et les interconnexions. Une bande ´etroite de graph`ene, connue sous le nom de graphene nanoribbon (GNR), a ´et´e´etudi´ee comme candidat prometteur pour remplacer les canaux de transistors [ 11 , 117 ] et les interconnexions [ 130 ] pour les circuits int´egr´es de tr`es grande taille de prochaine g´en´eration (VLSI) . Le GNR pr´esente de nombreux avantages sur les propri´et´es ´electriques [ 107 ], m´ecaniques et thermiques [ 10 , 12 ]. Le GNR a une grande mo- bilit´edes porteurs et une conductivit´ethermique [ 134 ]. Le libre parcours moyen des ´electrons dans du GNR peut atteindre plusieurs microm`etres [ 15 ] et sa conductivit´e thermique est dans la gamme de 5300 W/mK. Cependant, Le GNR a des propri´et´es m´etalliques ou semi-conductrices en fonction de la disposition des atomes de bord. Un GNR `abords en zigzag se comporte de mani`ere m´etallique et `a”bord de fau- teuils” est semi-conducteur [ 112 ]. Il reste encore difficile de fabriquer des GNR enti`erement m´etalliques de haute qualit´epour les applications d’interconnexion `a grande ´echelle. Cependant, en raison de la quantification 2D et de la bande inter- dite ´etroite du GNR semi-conducteur, `ala temp´erature ambiante ou au-dessus, la transition des ´electrons induite par les effets thermiques peut rendre la bande inter- dite ´etroite n´egligeable.