The Infrared Spectrum of Indium in Silicon Revisited A
The infrared spectrum of indium in silicon revisited A. Tardella, B. Pajot To cite this version: A. Tardella, B. Pajot. The infrared spectrum of indium in silicon revisited. Journal de Physique, 1982, 43 (12), pp.1789-1795. 10.1051/jphys:0198200430120178900. jpa-00209562 HAL Id: jpa-00209562 https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00209562 Submitted on 1 Jan 1982 HAL is a multi-disciplinary open access L’archive ouverte pluridisciplinaire HAL, est archive for the deposit and dissemination of sci- destinée au dépôt et à la diffusion de documents entific research documents, whether they are pub- scientifiques de niveau recherche, publiés ou non, lished or not. The documents may come from émanant des établissements d’enseignement et de teaching and research institutions in France or recherche français ou étrangers, des laboratoires abroad, or from public or private research centers. publics ou privés. J. Physique 43 (1982) 1789-1795 DTCEMBRE 1982, 1789 Classification Physics Abstracts 71.55 - 78.50 The infrared spectrum of indium in silicon revisited A. Tardella and B. Pajot Groupe de Physique des Solides de l’Ecole Normale Supérieure, Université Paris VII, Tour 23, 2, place Jussieu, 75251 Paris Cedex 05, France (Reçu le 27 mai 1982, révisé le 22 juillet, accepté le 23 août 1982) Résumé. 2014 Le spectre d’absorption de l’indium dans le silicium a été mesuré dans des conditions où l’élargisse- ment des raies par effet de concentration est négligeable. Avec une résolution appropriée, on détecte 17 transitions et les composantes d’un doublet serré sont attribuées à deux transitions calculées. A 6 K, la largeur intrinsèque des raies varie de 2,6 à 0,8 cm-1, ce qui indique un effet lié à la structure de la bande de valence du silicium.
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