Curriculum Vitae

Octubre 2018

1. DATOS GENERALES

Nombre: Máximo López López

Escolaridad:

Licenciatura.- Licenciado en Física y Matemáticas, “Estudio de la retención de carga eléctrica en SiO2 no estequiometrico como una aplicación para memorias no volátiles”. (Física del Estado Sólido). Instituto Politécnico Nacional. Escuela Superior de Física y Matemáticas, México, 1985.

Maestría.- Maestría en Física, “Mecanismos de inyección y retención de carga en SiO2 No- estequiometrico”. (Física del Estado Sólido). Centro de Investigación y Estudios Avanzados del IPN. Departamento de Física, México 1988.

Doctorado.- Doctorado en Ciencias. “Investigation on the initial growth process and interface formation of Si-GaAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy”. (Física del Estado Sólido). Universidad Tecnológica de Toyohashi, Japón, 1992.

Experiencia Profesional.

Profesor Asociado UAM-Azcapotzalco 1987-1988.

Investigador del 01-07-92 al 30-10-95 Optoelectronics Technology Research Laboratory, Tsukuba, Japón.

Investigador CINVESTAV 2B: 01-11-95 Actualmente Investigador CINVESTAV 3D

Coordinador de Admisión del Departamento de Física del CINVESTAV Enero 1996 - Febrero 2000

Jefe de la Sección de Física del Estado Sólido del Departamento de Física del CINVESTAV Marzo 2000 - a Marzo 2003

Miembro del Sistema Nacional de Investigadores, Nivel III (desde 2005).

Jefe del Departamento de Física del CINVESTASV Abril 2011 a la fecha

2. PRODUCTOS DE INVESTIGACION O DESARROLLO.

2.1. ARTICULOS ORIGINALES DE INVESTIGACION.

2.1.a. Publicaciones en extenso en revistas de prestigio internacional con arbitraje estricto.

2.1.a.1. M. López. “Electrical charge inyection and storage in off stoichiometric SiO2 films”. Journal of Materials Research. vol. 4, pg. 1233 a 1237, 1989.

2.1.a.2. M. López, T. Ikei, Y Takano, K. Pak, and H. Yonezu. “Initial growth mechanism of GaAs on Si (110)”. Jpn. Journal of Applied Physics, vol. 29, pg. 551 a 554, 1990.

2.1.a.3. M. López, Y. Takano, K Pak, and H. Yonezu. “Realization of low facet density and the growth mechanism of GaAs on GaAs (110)”. Applied Physics Letters, vol. 58, pg. 580 a 582, 1991.

2.1.a.4. Y. Takano, M. López, T. Torihata, T. Ikei, Y. Kanaya, K. Pak and H. Yonezu.“Realization of mirror surface in (111) and (110) oriented GaAs by migration enhanced epitaxy”. Journal of Crystal Growth. vol. 111, pg. 216 a 220, 1991.

2.1.a.5. M. López, Y. Yamauchi, T. Kawai, Y. Takano, K Pak, and H. Yonezu. “Molecular beam epitaxy andmigration enhanced epitaxy growth modes of GaAs on pseudo-morphic Si films grown on GaAs (100) substrates”. Journal of Vacumm Science and Technology B, vol. 10, pg. 2157 a 2162, 1992

2.1.a.6. M. López, Y. Takano, K. Pak and H. Yonezu. “Initial growth mechanism of Si on GaAs studied by reflection high-energy electron difraction oscillations”. Jpn. Journal of Applied Physics. vol. 31 pg. 1745 a 1751, 1992.

2.1.a.7. M. López, T. Ishikawa, Y. Nomura. “Molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs on mesa stripes along the (001) direction for quantum wire fabrication”. Jpn. Journal of Applied Physics Part 2, vol. 32. pg. 1051 a 1054, 1993.

2.1.a.8. T. Kawai, H. Yonezu, Y. Yamauchi, M. López and K Pak. “Initial growth process of GaAs on pseudomorphic Si interlayer and Ge substrate”. Journal of Crystal Growth. vol. 127, pg. 107 a 111, 1993.

2.1.a.9. M. López, T. Ishikawa, Y. Nomura. “Molecular beam epitaxial growth of pyramidal structures on patterned GaAs (100) substrates for three dimensionally confined structures”. Electronics Letters. vol. 29, pg. 2225 a 2227, 1993.

2.1.a.10. M. Meléndez, S. Jiménez, M. López, I. Hernández, Y. Yamauchi, T. Kawai, K. Pak, and H. Yonezu. “Differencial photoreflectance and Raman studies of

MBE grown GaAs/Si/GaAs”, Journal Physics: Condensed Matter. vol. 5A, pg. 357 a 358, 1993.

2.1.a.11. Matsuyama, M. López, N. Tanaka, and T. Ishikawa. “Cathodoluminiscence of wirelike GaAs/AlAs quantum well structures grown on substrates patterned with (001) mesa stripes”. Jpn. Journal of Applied Physics part 2, vol. 33, pg. 627 a 630, 1994.

2.1.a.12. F. Osaka, T. Ishikawa, N. Tanaka, M. López, and I. Matsuyama. “Scanning tunneling microscopy of C12-gas etched GaAs (001) surfaces using an ultrahigh vacumm transfer system”. Journal of Vacumm Science and Technology B, vol. 12, pg. 2894 a 2900, 1994.

2.1.a.13. M. López, T. Ishikawa, I. Matsuyama, N. Tanaka, and Y. Nomura. “MBE fabrication of GaAs quantum wires on mesa stripes along the [001] direction”. Solid State Electronics, vol. 37, pg. 563 a 565, 1994.

2.1.a.14. T. Ishikawa, N. Tanaka, M. López, I. Matsuyama. “Electron beam lithography using GaAs oxidized resist for GaAs/AlGaAs ultrafine structure fabrication”. Journal of Photopolymer Science and Technology. vol. 7, pg. 595 a 598, 1994.

2.1.a.15. T. Yodo, M. Tamura, M. López, Y. Kajikawa. “GaAs heteroepitaxial growth on vicinal Si (110) substrates by molecular beam epitaxy”. Journal of Applied Physics, vol. 76, pg. 7630 a 7632, 1994.

2.1.a.16. M. Meléndez, S. Jiménez, M. López, I. Hernández, T. Kawai, K. Pak and H. Yonezu. “A study of Franz-Keldysh oscillations of GaAs/Si/GaAs and AlAs/Si/AlAs heterostructures”. Journal of Applied Physics. vol. 76, pg. 3616 a 3619, 1994.

2.1.a.17. N. Tanaka, M. López, I. Matsuyama, T. Ishikawa. “Electron beam patterning mechanism of GaAs oxide mask layers used in-situ electron beam lithography”. Jpn. Journal of Applied Physics Part 1, vol.34, pg. 1194 a 1198, 1995.

2.1.a.18. M. López, N. Tanaka, I. Matsuyama and T. Ishikawa. “In situ GaAs patterning and subsequent molecular-beam epitaxial regrowth of AlGaAs/GaAs wire structures”. Jpn. Journal of Applied Physics Part 2, vol. 34, pg. L958 a L961, 1995.

2.1.a.19. M. López, N. Tanaka, I. Matsuyama and T. Ishikawa. “Improvement in patterning characteristics of GaAs oxide mask used in in-situ electron-beam lithography”. Jpn. Journal of Applied Physics, vol. 34, pg. L1024 a L1026, 1995.

2.1.a.20. T. Ishikawa, I. Matsuyama, N. Tanaka, M. López, M. Tamura and Y. Nanbu. “In situ fabrication of buried GaAs/AlGaAs quantum-well mesa-stripe structures with improved regrown interfaces”. Jpn. Journal of Applied Physics Part 2, vol. 34, pg. L1412 a L11415, 1995.

2.1.a.21. M. López and Y. Nomura. “Surface diffusion length of Ga adatoms in molecular beam epitaxy on GaAs(100)-(110) facet structures”. “Surface diffusion length of Ga adatoms in molecular beam epitaxy on GaAs (100)- (110) facet structures”. Journal of Crystal Growth. vol. 150, pg. 68-72, 1995.

2.1.a.22. T. Ishikawa, N. Tanaka, M. López, I. Matsuyama. “Nanometer-scale pattern formation of GaAs by in-situ electron beam lithography using surface oxide layer as a resist-film”. Journal of Vacumm Science and Technology B, vol. 13 pg. 2777 a 2780, 1995.

2.1.a.23. N. Tanaka, M. López, I. Matsuyama, T. Ishikawa. “Etching temperature dependence of surface composition and reconstruction for Cl2 etched GaAs layers”. Journal of Vacumm Science Technology B, vol. 13 pg. 2250 a 2254, 1995.

2.1.a.24. M. López, N. Tanaka, I. Matsuyama and T. Ishikawa. “AlGaAs/GaAs wire and box structures prepared by molecular-beam epitaxial regrowth on in situ patterned GaAs substrates”. Appl. Phys. Lett. vol. 68, pg 658 a 660, 1996.

2.1.a.25. M. Meléndez, M. López, e I. Hernández. “Photoreflectance and photoluminscence characterization of GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on flat and misoriented substrates”. Jpn. Journal Appl. Phys. vol. 35, pg. 3923 a 3927, 1996.

2.1.a.26. M. López, N. Tanaka, I. Matsuyama and T. Ishikawa. “Fabrication of quantum wires on GaAs substrates patterned by in situ electron-beam lithograpy”. Solid State Electronics, vol. 40, pg. 627 a 631, 1996.

2.1.a.27. T. Ishikawa, N. Tanaka, M. López, e I. Matsuyama “Effects of GaAs- surface roughness on the electron-beam patterning characteristcs of a surface- oxide layer”. Jpn. Journal of Applied Physics vol. 35, pg. L619 a L621, 1996.

2.1.a.28. M. López and T. Ishikawa. “Vertically stacked quantum wires fabricated by an in situ processing technique”. Journal of Crystal Growth, vol. 175, pg 799 a 803, 1997.

2.1.a.29. V. H. Méndez-García, M. López, and I. Hernández. “Study of the initial growth porcess of ZnSe on Si(111) by molecular beam epitaxy”. Jpn. Journal Appl. Phys. vol. 36, pg. 1153 a 1156, 1997.

2.1.a.30. M. López López, M. Meléndez, and S. Goto. “Photoreflectance study of the substrate-filminterface of GaAs homoepitaxial structures with different in situ

substrate surface cleanining procedures”. Appl. Phys. Lett. vol. 71, pg 338 a 340, 1997.

2.1.a.31. M.E. Constantino, H. Navarro-Contreras, G. Ramírez-Flores, M. A. Vidal, A. Lastras-Martínez, I. Hernández-Calderón, O. De Melo, M. López-López. “Observation of stress effects on GaAs in the interface of MBE grown ZnSe/GaAs(100) heterostructures”, Appl. Surface Science, vol. 134, 95-102 (1998).

2.1.a.32. J. Luyo-Alvarado, M. Meléndez-Lira, M. López-López, I. Hernández- Calderón, M. E. Constantino, H. Navarro-Contreras, M. A. Vidal, Y. Takagi, K. Samonji, and H. Yonezu. “Optical and structural characterization of ZnSe films grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates with- and without GaAs buffer layers". J. Appl. Phys. vol. 84, 1551-1557 (1998).

2.1.a.33. V. H. Méndez-García and M. López-López. “Si substrate treatment with nitrogen for the molecular beam epitaxial growth of ZnSe”. Electron. Lett. vol. 34, pg 1791 a 1793, 1998.

2.1.a.34. M. E. Constantino, M. A. Vidal, B. Salazar-Hernández, H. Navarro- Contreras, M. López-López, M. Meléndez-Lira, I. Hernandez-Calderón. “Dislocation densities in MBE grown ZnSe epitaxial layers on GaAs by HRXRD”. J. Cryst. Growth vol. 194, pg 301 a 308, 1998.

2.1.a.35. M. López-López, A. Guillén-Cervantes, Z. Rivera-Alvarez, I. Hernández- Calderón. “Hillocks formation during the molecular beam epitaxial growth of ZnSe on GaAs substrates”. J. Cryst. Growth, vol. 193 528-534 (1998).

2.1.a.36. J.J. Araiza, M. Cardenas, C. Falcony, V. H. Méndez-García, M. López- López, G. Contreras-Puente. “Structural, optical and electrical characteristics of yttrium oxide films deposited by laser ablation”. J. Vac. Sci. Technol. A vol. 16, pg 1501, 1998.

2.1.a.37. E Consatantino, H. Navarro-Contreras, M. A. Vidal, B.Salazar-Herandez, A. Lastras-Martinez, I. Hernandez-Calderon, and M. Lopez-Lopez. "Strain in GaAs at the heterointerface of ZnSe/GaAs" J. Phys. D; Appl. Phys. vol. 32 pg 1293-1301 (1999).

2.1.a.38. V. H. Méndez-García and M. López-López "Two dimensional growth mode promotion of ZnSe on Si(111) by using a nitrogen substrate treatment". J. Cryst Growth vol 201/202, pg 518-523 (1999).

2.1.a.39. M. E Consatantino, H. Navarro-Contreras, B. Salazar-Herandez, M. A. Vidal, A. Lastras-Martinez, M. Lopez-Lopez and I. Hernandez-Calderon. "Near band-edge optical properties of GaAs at the interface of ZnSe/GaAs/GaAs by phase selection in photoreflectance" J. Appl Phys. vol. 86 (1999).

2.1.a.40. V. H. Méndez-García, M. López-López and I. Hernandez Calderón. "Growth of ZnSe films on Si(111) substrates with a nitrogen surface treatment". J. Vac. Sci. and Technol., vol 17, 1259 (1999).

2.1.a.41. M. E Consatantino, H. Navarro-Contreras, M. A. Vidal, B. Salazar- Herandez, A. Lastras-Martinez, I. Hernandez-Calderon and M. López-López. "Stress in GaAs at the hetero-interface of ZnSe/GaAs/GaAs: a possible effect of pit filling and difference in themal expansion coefficients" Appl. Surf. Sci. vol. 151, 271 (1999).

2.1.a.42. J. Luyo-Alvarado, M.A. Sanrtana-Aranda, M. Melendez-Lira, M. Lopez- Lopez, V.H. Mendez, M.A. Vidal, and H. Yonezu, “Characterization of ZnSe films grown on GaAs substrates with InGaAs and AlGaAs buffer layers”. Thin Solid Films vol 373, 37 (2000).

2.1.a.43. J. Huerta, M. López, and O. Zelaya, "Observation of thermal desorption and MBE growth rate using laser light scattering". Thin Solid Films vol 373, 239 (2000).

2.1.a.44. V.H. Méndez-García, A. Pérez Centeno, M. López-López, M. Tamura, N. Oshima, and H. Yonezu. "Improvement in the crystal quality of ZnSe films on Si(111) substrates with a nitrogen surface treatment". Thin Solid Films vol 373, 33 (2000).

2.1.a.45. M. López-López, V. H. Méndez-García, M. Meléndez-Lira, J. Luyo- Alvarado,and M. Tamura. "Molecular Beam Epitaxial Growth of ZnSe Layers on GaAs and Si Substrates", Phys. Status Solidi vol 220, 99 (2000).

2.1.a.46. A. Guillén-Cervantes, Z. Rivera-Alvarez, M. López-López, E. López-Luna, and I. Hernández-Calderón. "GaAs surface oxide desorption by annealing in ultra high vacuum".Thin Solid Films vol 373, 159 (2000).

2.1.a.47. J. Huerta, M. López, and O. Zelaya, "Phase stability during molecular beam epitaxial growth of CdTe on InSb(111) substrates". J. Vac. Sci. Technol B 18, 1716 (2000).

2.1.a.48. J. Huerta, M. López, and O. Zelaya, "Molecular Beam Eoitaxial Growth of CdTe Layers on InSb(111)A and B Polar Substrates". Jpn. J. Appl. Phys. vol 39, 1701 (2000).

2.1.a.49. M. López-López, J. Luyo-Alvarado, M. Meléndez-Lira, O.Cano-Aguilar, C.Megía-García, J. Ortiz-López, and G. Contreras-Puente. "Study of AlGaAs/GaAs quantum wells overgrown on in-situ Cl2-etched GaAs substrates". J. Vac. Sci. Technol B 18, 1553(2000).

2.1.a.50. M. Cervantes-Contreras, M. López López, J. Luyo Alvarado, M. Meléndez Lira, and M. Tamura. “Molecular Beam Epitaxial Growth of GaN on (100)- and (111) Si substrates coated with a thin SiC layer”. Journal of Crystal Growth 227, pp 425-430 (2001)

2.1.a.51. J. Luyo Alvarado, M. Meléndez Lira, M. López López, and S. Goto, “Built- in electric fields in GaAs/GaAs structures with different in situ substrate treatments”. Journal of Vacuum Science and Technology B 19, 495-501 (2001).

2.1.a.52. V.H. Méndez García, M. López López, M. A. Vidal, J. Luyo Alvarado, M. Meléndez Lira, K. Momose, and H. Yonezu. “Study of the crystal quality and Ga –segregation in ZnSe films grown by molecular beam epitaxy on AlGaAs and InGaAs buffer layers on GaAs substrates”. Journal of Crystal Growth 228, 639-644 (2001).

2.1.a.53. M. Meléndez-Lira, M.A. Santana-Aranda, M. López-López, and M. Tamura, T. Yodo and M. A. Vidal. “Effects of the substrate tilting angle on the molecular beam epitaxial growth of GaAs on Si(110)”. J. of Vac. Sci. and Technol. B 19 pp 1567-1571 (2001).

2.1.a.54. V.H. Méndez-García, L. Zamora, A. Lastras-Martínez, N. Saucedo, A. Guillén, Z. Rivera, J. Huerta, F. Hernandez, R. Peña, M. Meléndez and M. López. “Photoreflectance spectroscopy study of AlGaAs/GaAs heterostructures with a two dimensional electron gas”, J. Vac. Sci. and Technol. B 20 (2002) 1238-1242.

2.1.a.55. M. Cervantes-Contreras, M. Lopez-Lopez, M. .Melendez-Lira, M.Tamura, M.A.Vidal, “Study of the optical and structural properties of GaN films grown on Si substrates with a SiC layer” . Thin Solid Films 433 (2003) 68-72.

2.1.a.56. Armando Pérez-Centeno, Víctor-Hugo Méndez-García, Nadia Saucedo-Zeni, Luis Zamora-Peredo, Alfonso Lastras-Martínez and Máximo López-López, “Self-Assembled GaAs Quantum Dots on Pesudomorphic Si Layers Grown on AlGaAs by Molecular Beam Epitaxy” , Jpn Journal Appl. Phys. 41 (2002) L916-918.

2.1.a.57. H. Pérez Ladrón de Guevara, A. Gaona Couto, M. A. Vidal, J. Luyo Alvarado, M. Meléndez lira and M. López Lopez, “Structural Study of ZnSe films on substrate with InGaAs and AlGaAs layers: strain, relaxation and lattice parameter”. J. Phys.: D, Appl. Phys. 35 (2002) 1408-1413.

2.1.a.58. L. Zamora-Peredo, A. Guillen-Cervantes , Z. Rivera-Alvarez, M. López- López , A.G. Rodriguez-Vázquez, V.H. Méndez-García. “Study of internal electric fields in AlGaAs/GaAs two-dimensional electron gas heterostructures” Microelectronics Journal 34 (2003) 521-523.

2.1.a.59. V.H.Mendez-Garcýa, A.Perez-Centeno, M. Lopez-Lopez, “Synthesis of GaAs quantum dots on Si-layers on AlGaAs films grown on GaAs(100)” Thin Solid Films 433 (2003) 63-67.

2.1.a.60. A. Pérez-Centeno, V. H. Méndez-García, N. Saucedo-Zeni, L. Zamora- Peredo, and M. López-López, “Study of the GaAs growth on pseudomorphic Si layers for the formation of self assembled quantum dots”. J. Cryst. Growth 251 (2003) 236.

2.1.a.61. C.M. Yee-Rendón, M. López-López, and M. Meléndez-Lira, "Influence of Indium segregation on the ligth emission of piezoelectric InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy" Revista Mexicana de Física 50 (2) 193-199, (2004).

2.1.a.62. L. Zamora-Peredo, M. López-López, Z. Rivera, A. Guillén, A. G. Rodríguez-Vázquez, G. Ramírez-Flores, A. Lastras-Martínez, V. H. Méndez- García. “Quantum Hall effect devices base on AlGaAs/GaAs structures studied by photoreflectance spectroscopy” Applied Surface Science 238 204- 208 (2004).

2.1.a.63. C. M. Yee-Rendón, A. Pérez-Centeno, M. Meléndez-Lira, G. González de la Cruz, M. López-López, Kazuo Furuya, Pablo O. Vaccaro. “Interdiffusion of Indium in piezoelectric InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (11n) substrates. Journal of Applied Physics 96, 3702 (2004).

2.1.a.64. M. Cervantes-Contreras, C.A. Quezada-Maya, M. Lopez-Lopez, G. Gonzalez de la Cruz, M. Tamura, T. Yodo, “Thermal properties of GaN/Si heterostructures grown by molecular beam epitaxy”. Journal of Crystal Growth 278 (2005) 415–420.

2.1.a.65. Caballero-Rosas, C. Mejia-Garcia, G. Contreras-Puente, and M. Lopez- Lopez, “Temperature dependence of optical transitions in AlxGa1–xAs/GaAs quantum well structures grown by molecular beam epitaxy”. Thin Solid Films 490 (2005) 161 – 164.

2.1.a.66. A. Pulzara-Mora, M. Meléndez-Lira, S. Jiménez-Sandoval, and M. López- López “Growth of GaP1–xNx thin films by rf sputtering”. Phys. Stat. Sol. (b) 242 (2005)1887–1891.

2.1.a.67. M. Cervantes-Contreras, M. Lopez-Lopez , G. Gonzalez de la Cruz, P. Rodriguez, M Tamura, T. Yodo, “Effects of substrate nitridation time on the thermal properties of GaN films grown on silicon by molecular beam epitaxy “ JOURNAL DE PHYSIQUE IV 125 (2005) 205-208.

2.1.a.68. Zamora-Peredo L, Lopez-Lopez M, Lastras-Martinez A, “Photoreflectance investigations of HEMT structures grown by MBE”. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 278 (2005) 591-595.

2.1.a.69. Esteban Cruz-Hernandez, Alvaro Pulzara-Mora, Francisco-Javier Ramírez- Arenas, Juan-Salvador Rojas-Ramirez, Víctor-Hugo Méndez-García, and Máximo López-López, “Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAs on (631) Oriented Substrates”. Jpn. Journal of Applied Physics 44 (2005) L1556- L1559.

2.1.a.70. A. Pulzara-Mora, M. Meléndez-Lira, S. Jiménez-Sandoval and M. Lopez- Lopez, “ Study of the structural and optical properties of GaPN thin films grown by magnetron R-F sputtering”. Vacuum 80 (2006) pp 468-474.

2.1.a.71. V.H. Mendez-Garcia, F.J. Ramirez-Arenas, A. Lastras-Martinez, E. Cruz- Hernandez, A. Pulzara-Mora, J.S. Rojas-Ramirez, M. Lopez-Lopez, “Structure and homoepitaxial growth of GaAs(6 3 1)”, Appl. Surf. Sci. 252 (2006) pp5530-5533.

2.1.a.72. E. Cruz-Hernandez, J.S.Rojas-Ramirez, C. Vazquez-Lopez, M. Lopez- Lopez, A. Pulzara-Mora, V.H. Mendez-Garcia, “Study of the homoepitaxial growth of GaAs on (631) oriented substrates ”, J. Vac. Sci. Technol. B 24 (2006) pp1568-1571.

2.1.a.73. A. Pulzara-Mora, M. Meléndez-Lira, C. Falcony Guajardio, M. Lopez- Lopez, M.A. Vidal, S. Jiménez-Sandoval and M.A. Aguilar-Frutis “Structural and optical characterization of GaNAs layers grown by molecular beam epitaxy”. J. Vac. Sci. Technol. B 24 (2006) pp1591-1594.

2.1.a.74. J.S. Rojas-Ramírez, A. Pulzara-Mora, E. Cruz-Hernandez, A. Perez- Centeno, M. Melendez-Lira, V.H. Mendez-Garcia, M. López-López, “Photoreflectance study of InAs quantum dots on GaAs(n 1 1) substrates”, Physca E 32 (2006) 139-143. 2.1.a.75. A. Guillén-Cervantes, Z. Rivera-Alvarez, M. López-López, A. Escobosa, V.M. Sánchez-Reséndiz “Influence of chemical etching on step bunching formation on GaAs (100) during thermal oxide removal” Thin Solid Films 515 (2007) 3635-3637.

2.1.a.76. A. Pulzara-Mora, E. Cruz-Hernández, J. Rojas-Ramirez, R. Contreras- Guerrero, M. Meléndez-Lira, C. Falcony-Guajardo, M.A. Aguilar-Frutis and M. López-López, “Study of optical properties of GaAsN layers prepared by molecular beam epitaxy” Journal of Crystal Growth 301-302 (2007) 565-569.

2.1.a.77. J. S. Rojas-Ramirez, C. M. Yee-Rendón, E. Cruz-Hernandez, R. Contreras- Guerrero, C. Vazquez-Lopez, M. Melendez-Lira, and M. Lopez-Lopez, “InGaAs/GaAs quantum wells and quantum dots on GaAs(11n) substrates

studied by photoreflectance spectroscopy” Phys. Sat. Sol. (a) 204 (2007) 390- 399.

2.1.a.78. E. Cruz-Hernández, A. Pulzara-Mora, J. Rojas-Ramirez, R. Contreras- Guerrero, D. Vazquez, A.G. Rodríguez, V.H. Méndez-García, and M. López- López, “Study of the GaAs MBE growth on (631) oriented substrates by Raman spectroscopy” Journal of Crystal Growth 301-302 (2007) 884-888.

2.1.a.79. C. Mejia-Garcia, A. Winter, M. Lopez-Lopez, “Influence of buffer surface preparation on the quality of AlxGa1-xAs/GaAs quantum wells studied by optical orientation experiments” J. of Mat. Sci-Mat. in Electron. 18, (2007) 1157-1161.

2.1.a.80. Mendez-Garcia, VH, Ramirez-Elias, MG; Gorbatchev, A, E. Cruz- Hernández, J. S. Rojas-Ramírez, I. Martínez-Velis, L. Zamora-Peredo and M. López-López, “Molecular beam epitaxy growth of AlGaAs on the (631)- oriented GaAs substrates” J. Vac. Sci. Technol. B. 26 (2008) 1093-1096.

2.1.a.81. J. Hernández-Rosas, J.G. Mendoza-Álvarez, S. Gallardo-Hernández, E. Cruz-Hernández, J. S. Rojas-Ramírez, M. López-López. “Optical characterization of InAs δ-layers grown by MBE at different substrate temperatures” Microelectronics Journal, 39 (2008) 1284-1285.

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Los articulos subrayados son el resultado de Tesis ver sección 2.6

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2.1.g.291. 30th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy, October 5- 11, 2013. Alberta, Canada. “Characterization of Mn-doped GaAs Films Grown by Molecular Beam Epitaxy”. A.D.R.D. Santiago, M. López-López, I. Martinez-Veliz, E. Lopez-Luna, A.Y. Gorbatchev, E. Cruz-Hernandez, V.H. Mendez-Garcia. 2.1.g.292. 30th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy, October 5- 11, 2013. Alberta, Canada. “The Effect of Surface States on the Electrical Properties of MBE grown Modulation Doped AlGaAs/GaAs Heterostructures”. V. Mendez-Garcia, A. Cisneros-de la Rosa, E. Cruz-Hernández, L. Zamora-Peredo, I.E. Cortes-Mestizo, J.V. Gonzalez-Fern, A. Gorbatchev, R. Balderas-Navarro, J. Nieto, M. Lopez-Lopez.

2.1.g.293. 21th Latin American Symposium on Solid State Physics (SLAFES XXI) Colombia, Octubre 2013. “Microstructure and Raman spectra of In-GaAs bilayers prepared by R.F. magnetron sputtering on Si(100) substrates”. M. A. Venegas, R. Bernal, M López, and A. Pulzara.

2.1.g.294. 4th Mexican Workshop on Nanostructured Materials, March 19-22, 2013. Puebla, Mexico “Effect of Surface Electric Field on GaAs/AlGaAs Heterostructures with Double-2DEG Studied by Photoreflectance Spectroscopy”. L. Zamora-Peredo1, I. Cortes-Mestizo1, L. García-Gonzáez1, J. Hernández-Torres1, T. Hernandez-Quiroz1, M. Peres-Caro2, M. Ramirez- López2, I. Martinez-Veliz2, Y. L. Casallas-Moreno2, S. Gallardo-Hernández2, M. López-López

2.1.g.295. VI International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum. Mérida, Yucatán 23-27 Septiembre 2013. Miguel Angel Venegas de la Cerda, Roberto Andres Bernal Correa, Maximo Lopez Lopez, Alvaro Orlando Pulzara Mora. Microstucture and Raman spectra of GaAs/In bilayers prepared by R.F. magnetrón sputtering on Si(001) substrates.

2.1.g.296. VI International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum. Mérida, Yucatán 23-27 Septiembre 2013. Manuel Pérez-Caro, Manolo Ramírez- López, Yenny Casallas-Moreno, Salvador Gallardo-Hernández, Máximo López-López. Impact of plasma conditions in InN grown by Moleclar Beam Epitaxy. VI International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum. Mérida, Yucatán 23-27 Septiembre 2013.

2.1.g.297. VI International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum. Mérida, Yucatán 23-27 Septiembre 2013. Victor Hugo Mendez Garcia, Esteban Cruz Hernandez, Alejandro Cisneros de la Rosa, Luis Zamora Peredo, Irving Eduardo Cortes Mestizo, Jose Vulfrano Gonzalez Fernandez, Raul Balderas Navarro, Andrei Yu Gorbatchev, Jose Guadalupe Nieto Navarro, Maximo Lopez Lopez. Surface states effects on the electrical properties of HEMTS AlGaAs/GaAs heterostructures. 2.1.g.298. VI International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum. Mérida, Yucatán 23-27 Septiembre 2013. Jose Angel Espinoza Figueroa, Leticia Ithsmel Espinosa Vega, Angel Gabriel Rodriguez Vazquez, Manuel Perez Caro, Máximo López López, José Guadalupe Nieto Navarro, Esteban Cruz Hernández, Victor Hugo Méndez García. Optical and electrical characterizationof I-GaN and GaN:Si growth by MBE. 2.1.g.299. VI International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum. Mérida, Yucatán 23-27 Septiembre 2013. Antonio del Rio de Santiago, Isaac Martínez Veliz, Máximo López López, José Angel Espinoza Figueroa, Esteban Cruz Hernández, Víctor Hugo. Nanostructures grown by Molecular-Beam Epitaxy. 2.1.g.300. VI International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum. Mérida, Yucatán 23-27 Septiembre 2013. Antonio del Rio de Santiago, Isaac Martinez Veliz, Maximo Lopez Lopez, Jose Angel Espinoza Figueroa, Esteban Cruz Hernandez, Victor Hugo Mendez Garcia. Optical and electrical properties of Mn-doped GaAs nanostructures grown by Molecular-Beam Epitaxy. 2.1.g.301. VI International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum. Mérida, Yucatán 23-27 Septiembre 2013. Manolo Ramírez López, Manuel Pérez Caro, Yenny Lucero Casallas-Moreno, Bruno Rojas Trigos, Máximo López López. Effects of silicon doping on the radiactive efficiency of GaN. 2.1.g.302. VI International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum. Mérida, Yucatán 23-27 Septiembre 2013. Yenny Casallas-Moreno, Manuel Pérez- Caro, Salvador Gallardo-Hernández, Manolo Ramírez-López, Arturo Escobosa Echavarría, Maximo López-López. Growth and characterization of cubic-phase InN and GaN FILMS on GaAs(001) substrates by plasma- assisted Molecular Beam Epitaxy. 27 2.1.g.303. VI International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum. Mérida, Yucatán 23-27 Septiembre 2013. Cristo M. Yee, Jorge Carlos Avila- Gaxiola, Francisco Ramos-Brito, Oscar de J. Velarde -Escobar, Gelacio Atondo-Rubio, V. H. Méndez-García, D. Vázquez-Cortés, E. Cruz- Hernández, Máximo López-López. Nanowire like trnsition in a (631) AlGaAs/GaAs oriented corrúgate quantum well using low temperatura photoluminescence and photorreflectance. 2.1.g.304. VI International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum. Mérida, Yucatán 23-27 Septiembre 2013. S. Gallardo-Hernández, A. Guillen-

Cervantes, Y. L Casallas-Moreno, M. Pérez-Caro, M. Ramírez-López, A. Tavira-Fuentes, A. Escobosa-Echavarria, Yu. Kudriatsev, M. Lopez- Lopez. Silicon delta doping of GaAs greown by Molecular Beam Epitaxy. 2.1.g.305. VI International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum. Mérida, Yucatán 23-27 Septiembre 2013. Eric Eugenio López, Eliseo García Ramírez, Manuel Pérez Caro, Angel Gabriel Rodríguez Vázquez, Máximo López López, Edgar López Luna, Miguel Angel Vidal Borbolla, Jose Guadalupe Nieto Navarro, Víctor Hugo Méndez García. Surface Relaxation in the MBE growth of quantum dots on anisotropic high-index substrates. VI International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum. Mérida, Yucatán 23-27 Septiembre 2013. 2.1.g.306. VI International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum. Mérida, Yucatán 23-27 Septiembre 2013. Antonio del Rio de Santiago, Isaac Martínez Veliz, Máximo López López, Edgar López Luna, Víctor Hugo Méndez García. Self-assembly of GaAs:Mn nanostructures by MBE. 2.1.g.307. VI International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum. Mérida, Yucatán 23-27 Septiembre 2013. Luis Alberto Hernández-Hernández, Jorge Aguilar-Hernández, Francisco De Moure-Flores, Adolfo Escamilla- Esquivel, Miguel Meléndez-Lira, Máximo López-López, Guillermo Santana-Rodríguez, Arturo Hernández-Hernández , José Guadalupe Quiñones-Galván, Osvaldo De Melo-Pereira, Gerardo Contreras-Puente. Optical and structural properties of GaN thin films as grown by closed- space thin films as grown by closed-space vapor transport. 2.1.g.308. North American Molecular Beam Epitaxy Conference 2011. Agosto 14 al 17, 2011. La Jolla, CA. Estados Unidos. E. Eugenio-López, J.A. Espinoza-Figueroa, A. Del Rio-De Santiago, I. Cortes Mestizo, J. Mendez-Lozoya, A.G. Rodríguez-Vázquez, M. Pérez- Caro, M. López-López, E. Cruz-Hernandez, V.H. Mendez.

2.1.g.309. North American Molecular Beam Epitaxy Conference 2011. Agosto 14 al 17, 2011. La Jolla, CA. Estados Unidos. MBE Growth and Characterization of InAs Quantum Dots on GaAs(631). P23 Y.L. Casallas-Moreno, S. Gallardo-Hernández, M. Ramírez-López, A. Ponce, F. Ruiz-Zepeda, G. Santana-Rodríguez, B.M. Monroy-Peláez, A. Hernández-Hernández, M. López-López. Synthesis and Characterization of Cubic GaN Films Grown by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy. P71. 2.1.g.310. North American Molecular Beam Epitaxy Conference 2011. Agosto 14 al 17, 2011. La Jolla, CA. Estados Unidos. M. Lopez-Lopez, Y. Kudriavysev, C.A. Hernandez. Effects of High Silicon Doping in GaN Layers Grown by MBE on Si(111) Substrates. P76 2.1.g.311. North American Molecular Beam Epitaxy Conference 2011. Agosto 14 al 17, 2011. La Jolla, CA. Estados Unidos. M. Ramírez-López, M. Perez-Caro, Y.L. Casallas-Moreno, S. Gallardo- Hernandez, M. López-López.

Angular Dependence of Photoluminescence of GaN/AlGaN Quantum Wells. P84

2.1.g.312. North American Molecular Beam Epitaxy Conference 2011. Agosto 14 al 17, 2011. La Jolla, CA. Estados Unidos. A. Del Rio-De Santiago, V.H. Mendez, J.A. Espinoza-Figueroa, J. Mendez-Lozoya, I. Cortes Mestizo, E. Eugenio-López, C.F. Sánchez- Valdés, J.L. Sánchez, Llamazares, I. Martinez-Veliz, M. López-López, E. Cruz-Hernandez. Magnetic and Structural Properties of MBE Grown High-temperature Mn- dped GaAs-Films. P118.

2.1.g.313. North American Molecular Beam Epitaxy Conference 2011. Agosto 14 al 17, 2011. La Jolla, CA. Estados Unidos. Llamazares,M. López-López, E. Cruz-Hernandez, MBE Growth and Characterization of InAs Quantum Dots on GaAs(631). P23

2.1.g.314. North American Molecular Beam Epitaxy Conference 2011. Agosto 14 al 17, 2011. La Jolla, CA. Estados Unidos. M. Lopez-Lopez Molecular Beam Epitaxy and Characterization of Cubic-Phase InN and GaN films. Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings and Interfaces, Hawaii, December 2014.

2.1.g.315. 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Kyoto, Japan, November 2014. J.A. Espinoza-Figueroa, V.H. Mendez-Garcia, M. Lopez- Lopez, Y. Casallas-Moreno, S. Gallardo-Hernandez, V. Sanchez-Resendiz, G. Contreras-Puente, M. Ramirez-Lopez, and F. de Moure-Flores. GaN-based solar cell as grown by the MOCVD and MBE – techniques

2.1.g.316. 5th International Symposium on Growth of III-Nitrides, Atlanta, Georgia May 2014. S. Gallardo-Hernández, M. Ramírez-López, Y. L. Casallas-Moreno, M. Pérez-Caro, and M.Lopez-Lopez Study of interference effects in the photoluminescence of AlGaN/GaN quantum wells.

2.1.g.317. VII International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum, Ensenada 2014. Jesús Antonio Rojas-Rosales, Francisco Ramos-Brito, Oscar Jesús Velarde-Escobar, Gelacio Atondo-Rubio, Máximo López López, Cristo Manuel Yee-Rendon. Nanowire and quantum well states on high index planes nanostructures modeled using a self consistent Schrodinger and Poisson equations.

2.1.g.318 VII International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum,

Ensenada 2014. Antonio Del Rio-De Santiago, Victor H. Méndez-García, Isaac Martinez-Veliz, Salvador Gallardo, Yuri Kudriatsev, Máximo López-López, Esteban Cruz-Hernández. SIMS study of Manganese incorporation in GaAs grown by high temperature MBE. 2.1.g.319 VII International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum, Ensenada 2014.Víctor Hugo Méndez García, Eric Eugenio López, Satoshi Shimomura, Angel Gabriel Rodríguez, Máximo López López. Internal electric fields and interface strain of InAs quantum dots grown on High-Index Substrates studied by photorreflectance spectroscopy. 2.1.g.320. VII International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum, Ensenada 2014.Leticia I. Espinosa Vega, Angel G. Rodríguez Vázquez, Javier Méndez Lozoya, David Vázquez Cortes, Máximo López López, Satoshi Shimomura, Víctor H. Méndez García. Raman spectroscopy of AlGaAs/GaAs(631) heterostructures grown by molecular beam epitaxy. 2.1.g.321. VII International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum, Ensenada 2014. Benjamín Nieto-Hernández, Juan Hernández-Rosas, Luis Escobar-Alarcón, José Luis Herrera-Pérez, Saúl Arias-Cerón, Manolo Ramírez-López, Máximo López-López. Thermoluminescence model in GaN/AlGaN nanostructures fabricated by Molecular Beam Epitaxy.

2.1.g.322. VII International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum, Ensenada 2014. Mario Cervantes Contreras, Máximo López López. Study of GaN films on SiC/Si(111)

2.1.g.323. VII International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum, Ensenada 2014. Yenny L. Casallas-Moreno, Salvador Gallardo-Hernández, Manolo Ramírez-López, Francisco Ruiz-Zepeda, B. Marel Monroy-Peláez, Arturo Hernández-Hernández, Alberto Herrera-Gómez, Arturo Ponce- Pedraza, Guillermo Santana-Rodríguez, Guillermo Santana-Rodríguez, Maximo López-López. Study of metastable (cubic) GaN grown on GaAs(001) substrates by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy. 2.1.g.324. VII International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum, Ensenada 2014. Daniel A. Flores-Cordero, Yenny L. Casallas-Moreno, Salvador Gallardo-Hernández, Angel Guillen, Máximo López-López. Surface Cleaning of p-Type Silicon (111) by using an Electrochemical Method. 2.1.g.325. VII International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum, Ensenada 2014. Manolo Ramírez-López, Angel Guillén-Cervantes, Yenny Lucero Casallas-Moreno, Salvador Gallardo-Hernandez, Miguel Angel Leyva-Murcia, Máximo López-Lopez. Chemical composition of GaN/Si(111) system as function of accelerating voltage in scanning electron microscope

2.1.g.326. VII International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum, Ensenada 2014. Manolo Ramírez-López, Yenny Lucero Casallas-Moreno,

Juan Salvador Rojas-Ramírez, Manuel Pérez-Caro, Miguel Angel Leyva- Murcia, Máximo López-López. Effects of adatom thermal energy on the growth kinetics of AlN 2.1.g.327. VII International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum, Ensenada 2014. Antonio Del Rio-De Santiago, Victor Hugo Méndez- García, Cesar Fidel Sánchez-Valdés, José Luis Sánchez Llamazares, Issac Martinez-Veliz, Maximo López-López, Esteban Cruz-Hernández. Room temperature ferromagnetism in (GaAs)Mn nanostructures grown by HT-MBE 2.1.g.328. VII International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum, Ensenada 2014. Víctor Hugo Méndez García, Antonio Del Río De Santiago, Luis Jiménez, Isaac Martínez Veliz, Máximo López López. Single junction Mn-doped GaAs solar cells grown by MBE. 2.1.g.329. VII International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum, Ensenada 2014. José Angel Espinoza Figueroa, Máximo López López, Esteban Cruz Hernández, Hugo Navarro Contreras, Víctor Hugo Méndez García . Optical and Electrical Characterization of GaN p – n junctions growth by MOCVD and MBE. 2.1.g.330. VII International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum, Ensenada 2014. Manolo Ramírez-López, Manuel Pérez-Caro, Yenny Lucero Casallas-Moreno, Salvador Gallardo-Hernández, Miguel Angel Leyva-Murcia, Máximo López-López. Optical cavity effects in AlGaN/GaN quantum wells growth by MBE.

2.1.g.331. VII International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum, Ensenada 2014. José Angel Espinoza Figueroa, Irving Eduardo Cortes Mestizo, Máximo López López, Hugo Navarro Contreras, Víctor Hugo Méndez García. TCAD- simulations of Gallium Nitride (GaN)-based Solar Cells. 2.1.g.332. VII International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum, Ensenada 2014. Roberto Bernal Correa, Jorge Montes Monsalve, Salvador Gallardo Hernández, Máximo López López, Alvaro Pulzara Mora. Optical properties of layers InGaAs on glass substrates obtained by magnetron sputtering.

VIII International Conference on Surfaces Materials and Vaccum 2015. September 21-25 2015.

2.1.g.333. Y.L. Casallas-Moreno, D. A. Flores- Cordero, S. Gallardo-Hernández, B. M. Monroy, A. Hernández- Hernández, G. Santana, A. Escobosa-Echavarría, M. López-López Cubic GaN grown on GaAs substrates by RF-plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy. P201. 2.1.g.334. Carlos Hernández Gutierrez, Yuriy Kudriavtsev, Maximo López López, Victor Sánchez Resendiz, Arturo Escobosa Echavarria, Jaime Santoyo Salazar, Angel Guillen Analytical study of In shallow implanted GaN. P207

2.1.g.335. Estebán Cruz Hernández, Antonio Del Río De Santiago, Salvador Gallardo Hernández, Miguel Angel Vidal Borbolla, José Angel Espinoza Figueroa, Manuel Gutiérrez Hernández, Máximo López López, Víctor Hugo Méndez García. Mn incorporation in GaAs grown by HT- MBE studied by SIMS and HRXRD. P248. 2.1.g.336. Antonio Del Rio De Santiago, Esteban Cruz Hernandez, Cesar Fidel Sanchez Valdes, Jose Luis Sanchez Llamazares, Isaac Martinez Veliz, Maximo Lopez Lopez, Victor Hugo Mendez Garcia Magnetic properties of nanostructured MBE grown (GaMn)As. P251 2.1.g.337. José Angel Espinoza Figueroa, Estebán Cruz Hernández, Salvador Gallardo Hernández, Eliseo García Ramírez, Miguel Angel Vidal Borbolla , Máximo López López , Víctor Hugo Méndez García SIMS and HRXRD study of the deviation from the Vegard’s law of GaNAs layers grown by PA- MBE. P379. 2.1.g.338. José Alberto Piedra-Lorenzana, Yenny Lucero Casallas-Moreno, Dagoberto Cardona, Salvador Gallardo- Hernández, Gilberto Gamaliel Díaz-Monroy, Carlos Alberto Hernández-Gutiérrez, Máximo López-López. Synthesis and characterization of p-doped GaAs films grown by Molecular Beam Epitaxy. P387. 2.1.g.339. G. Díaz-Monroy, A. Piedra-Lorenzana, Y. Casallas-Moreno, S. Gallardo- Hernández, D. Cardona-Ramírez, C. Hernández-Gutiérrez , C. Mejía-García, M. López-López. Photoreflectance study of Mn delta-doped GaAs/InGaAs quantum wells. P391. 2.1.g.340. Luis Alberto Hernández-Hernández ([email protected]) 2 , Gerardo Contreras-Puente 2 , Francisco de Moure-Flores 4 , Jorge Aguilar- Hernández 2 , Osvaldo de Melo-Pereira 3 , Karla Gutiérrez-Z-B 2 , Máximo López-López 1 , Guillermo Santana-Rodríguez Optical and structural properties of gan grown by sublimation into tube furnace. P453

31st North American Molecular Beam Epitaxy Conference. October 4 – 7, 2015.

2.1.g.341. J.A. Espinoza-Figueroa, M. López-López, S. Gallardo-Hernandez, E. García- Ramírez, M.A. Vidal-Borbolla, E. Cruz-Hernandez, V.H. Méndez-García. Study of the Nitrogen Incorporation in GaNAs Layers as a Function of Growth Temperature. Mo-P16. 2.1.g.342. L. Zamora Peredo, L. García González, J. Hernández Torres, M. Perez Caro, M. Ramirez López, Y. Casallas Moreno, Z. Rivera Alvarez, M. López López, Cortes Mestizo, V. H. Méndez García. Optical Characterization of Si-ML Passivated AlGaAs/GaAs Heterostructures. We-P05. 2.1.g.343. J.A. Piedra-Lorenzana, Y.L. Casallas-Moreno, Dagoberto Cardona, S. Gallardo- Hernández, G.G. Díaz-Monroy, C.A. Hernández-Gutierrez, M. López-López, Mg-induced Pyramidal Structures Formation During the MBE Growth of GaAs. We-P06. 2.1.g.344. Y.L. Casallas-Moreno, S. Gallardo-Hernández, F. Ruiz-Zepeda, B. M. Monroy, A. Escobosa-Echavarría, A. Ponce, G. Santana, M. Lopez-Lopez.

Characterization of Cubic Phase GaN and InN Layers Grown by RF-MBE. We- P14 2.1.g.345. Zamora-Peredo, I. Martínez-Velis, J. Hernández-Torres, L. García-González, G. Santana-Rodríguez, M. Ramírez-López, M. López-López, Raman and PL Study of Si-doped GaN/Si Films. We-P15 2.1.g.346. M. López López. Y. Casallas, S. Gallardo, A. Conde, M. Lopez-Lopez, Yu. Koudriavtsev, A. Escobosa, V. Nevedomsky, K. Moiseev. Heterostructures With Single δ-layer of Manganese For High-Temperature Magnetic Performance. We-P21.

2.1.g.347. E. Cruz-Hernández, A. Del Rio-De Santiago, V.H. Méndez-García, S. Gallardo- Hernández, M. A. Vidal, J.A. Espinoza-Figueroa, J.M. Gutiérrez- Hernandez, M. López-López. Crecimiento por epitaxia de haces molculares de semiconductores III-N. SIMS Study of the Mn Incorporation into GaAs Grown at High Temperature by MBE. We-P27. 2.1.g.348. M. Lopez Lopez. Crecimento por epitaxia de haces moleulares de semiconductores III-N para aplicaciones en dispositivos fotovoltaicos. 50 Congreso Mexicano de Quimica, Queretaro, Mexico 7-10 octubre 2015.

IX International Conference on Surfaces Materials and Vacuum 2016. September 26- 30, 2016.

2.1.g.349 Reyna Méndez Camacho, Victor Hugo Méndez García, Máximo López López, Esteban Cruz Hernández New High-index Orientations in the Stereographic Triangle for Self-assembled Faceting. NSN-416. 2.1.g.350 Reyna Méndez Camacho, Victor Hugo Méndez García, Donato Valdez Perez, Máximo López López, Esteban Cruz Hernández Coarsening in the homoepitaxy on GaAs high-index substrates grown by MBE: theory and experiment. NSN-464 2.1.g.351 J.A. Espinoza-Figueroa, I.E. Cortes-Mestizo, E. Eugenio-López, C. Mercado- Ornelas, M. López-López, E. Cruz-Hernández, V. H. Méndez MBE growth and characterization of AlGaAs/GaAs n-p and p-n solar cells. NSN-571. 2.1.g.352 Y. L. Casallas-Moreno, C. A. Hernández-Gutiérrez, Dagoberto Cardona, M. G. De la Cruz-Vicencio, Luis A. Hernández-Hernández, K. Gutiérrez Z-B, J. Hernandez-Rosas, G. Contreras-Puente, M. López-López . Cubic InxGa1-xN/GaN nanostructures on GaAs(001) Substrates by RF-MBE. NSN-528. 2.1.g.353 C. A. Hernandez, Y. L,. Casallas, Dagoberto Cardona, Y. Kudriavtsev, Gerardo Contreras, Guillermo Santana, V. H. Mendez, J. A. Espinoza-Figueroa, Luis Zamora-Peredo, M. López-López. Growth and characterization of c-GaN / GaAs solar cells. RWE-469. 2.1.g.354 Dagoberto Cardona, Carlos Alberto Hernandez, Yenny Casallas, Marcelino Becerril, Orlando Zelaya, Yuri Kudriavtsev, Máximo López-Lopez, Arturo Morales. Design and synthesis of ZnO transparent contacts for InGaN solar cells. RWE- 527.

2.1.g.355 Luis Alberto Hernández-Hernández, Gerardo Contreras-Puente, Francisco de Moure-Flores, Jorge Ricardo Aguilar-Hernández, Osvaldo de Melo-Pereira, Máximo López-López, Guillermo Santana-Rodríguez. Gallium indium nitride growth by close space sublimation (CsS) into tube furnace PLV-518. 2.1.g.356 Manolo Ramírez López, Manuel Peréz Caro, Yenny Lucero Casallas Moreno, Julio Gabriel Ramos Fierro, Máximo López López Optical emission spectroscopy of nitrogen plasma for growth of III-nitride compounds. PLV-140.

2.1.g.357 Y. L. Casallas-Moreno, Dagoberto Cardona, C. A. Hernández-Gutiérrez, S. Gallardo-Hernández, K. Gutiérrez-Z-B, G. Contreras-Puente and M. López- López. Migration Enhanced Epitaxy of Cubic InN on GaAs(001) Substrates by RF- MBE. 32st North American Molecular Beam Epitaxy Conference. October 4 – 7, 2016. MoP25.

2.1.g.358 M. Lopez Lopez, Y.L Casallas-Moreno, C. A. Hernández Gutiérrez, Dagoberto Cardona, G. Contreras-Puente, Luis A. Hernández-Hernández, L. F. Mejia- Cuellar, S. Arias-Ceron, K. Gutiérrez Z-B, J. Hernandez-Rosa. Growth of Cubic InGaN/GaN Quantum Wells on GaAs(100) by Molecular Beam Epitaxy. Platica Invitada. XXV International Materials Research Congress, Cancun, Mexico August 14-19 2016.

2.1.g.359 2.1.g.360

2.2. ARTICULOS DE REVISION

2.2.1 T. Ishikawa and M. López. “MBE Fabrication of GaAs/AlGaAs Low- Dimensional Structures on in-situ patterned substrates”. International Journal of Modern Physics B, vol. 10, No. 27, pg. 3637 a 3648, 1996. World Scientific Publishing Co.

2.2.2 M. A. Vidal, M. E Consatantino, B. Salazar-Herandez, H. Navarro-Contreras, M. López-López, I. Hernandez-Calderon, and H. Yonezu. "Dislocations in MBE-grown ZnSe/GaAs(001) epitaxial layers". Defect and Diffusion Forum vol. 173, 31-46 (1999). Scitech Publications Co.

2.2.3 V.H. Méndez-García, M. Meléndez-Lira, M. Vidal, and M. López-López, “Control of the crystal quality of ZnSe thin films grown on GaAs- and Si substrates by molecular beam epitaxy”, Recent Res. Devel. Vacuum Sci. & Tech. Vol 3, 159-171 (2001). Transworld Research Network.

2.6. PUBLICACIONES RESULTADO DE TESIS ( Sólo se reporta una publicación por tesis)

2.6.1. Articulo 2.1.a.35, Tesis de Licenciatura de Angel Guillén Cervantes: M. López-López, A. Guillén-Cervantes, Z. Rivera-Alvarez, I. Hernández-Calderón. “Hillocks formation during the molecular beam epitaxial growth of ZnSe on GaAs substrates”. J. Cryst. Growth, vol. 193 528-534 (1998).

2.6.2. Articulo 2.1.a.32, Tesis de Doctorado de Javier Luyo Alvarado: J. Luyo-Alvarado, M. Meléndez-Lira, M. López-López, I. Hernández-Calderón, M. E. Constantino, H. Navarro-Contreras, M. A. Vidal, Y. Takagi, K. Samonji, and H. Yonezu. “Optical and structural characterization of ZnSe films grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates with- and without GaAs buffer layers". J. Appl. Phys. vol. 84, 1551-1557 (1998).

2.6.3. Articulo 2.1.a.33, Tesis de Doctorado de Victor Hugo Méndez García: V. H. Méndez-García and M. López-López. “Si substrate treatment with nitrogen for the molecular beam epitaxial growth of ZnSe”. Electron. Lett. vol. 34, pg 1791 a 1793, 1998.

2.6.4. Articulo 2.1.a.47, Tesis de Doctorado de Jorge Huerta: J. Huerta, M. López, and O. Zelaya, "Phase stability during molecular beam epitaxial growth of CdTe on InSb(111) substrates". J. Vac. Sci. Technol B 18, 1716 (2000).

2.6.5. Articulo 2.1.a.49, Tesis de Maestría de Oscar Cano Aguilar: M. López-López, J. Luyo-Alvarado, M. Meléndez-Lira, O.Cano-Aguilar, C.Megía- García, J. Ortiz-López, and G. Contreras-Puente. "Study of AlGaAs/GaAs quantum wells overgrown on in-situ Cl2-etched GaAs substrates". J. Vac. Sci. Technol B 18, 1553(2000).

2.6.6 Articulo 2.1.a.50, Tesis de Doctorado de Mario Cervantes: M. Cervantes- Contreras, M. López López, J. Luyo Alvarado, M. Meléndez Lira, and M. Tamura. “Molecular Beam Epitaxial Growth of GaN on (100)- and (111) Si substrates coated with a thin SiC layer”. Journal of Crystal Growth 227, pp 425-430 (2001).

2.6.7 Articulo 2.1.a.63, Tesis de Maestría de C. Manuel Yee Rendon: C. M. Yee-Rendón, A. Pérez-Centeno, M. Meléndez-Lira, G. González de la Cruz, M. López-López, Kazuo Furuya, Pablo O. Vaccaro. “Interdiffusion of Indium in piezoelectric InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (11n) substrates. Journal of Applied Physics 96, 3702 (2004).

2.6.8 Articulo 2.1.a.62, Tesis de Doctorado de L. Zamora-Peredo: L. Zamora-Pe4redo, M. López-López, Z. Rivera, A. Guillén, A. G. Rodríguez- Vázquez, G. Ramírez-Flores, A. Lastras-Martínez, V. H. Méndez-García. “Quantum Hall effect devices base on AlGaAs/GaAs structures studied by photoreflectance spectroscopy” Applied Surface Science 238 204-208 (2004).

2.6.9 Articulo 2.1.a.69, Tesis de Maetría de E. Cruz-Hernández: E. Cruz-Hernandez, Alvaro Pulzara-Mora, Francisco-Javier Ramírez-Arenas, Juan- Salvador Rojas-Ramirez, Víctor-Hugo Méndez-García, and M. López-López, “Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAs on (631) Oriented Substrates”. Jpn. Journal of Applied Physics 44 (2005) L1556-L1559.

2.6.10 Articulo 2.1.a.73, Tesis de Doctorado de A. Pulzara Mora. : A. Pulzara-Mora, M. Meléndez-Lira, C. Falcony Guajardio, M. Lopez-Lopez, M.A. Vidal, S. Jiménez-Sandoval and M.A. Aguilar-Frutis “Structural and optical characterization of GaNAs layers grown by molecular beam epitaxy”. J. Vac. Sci. Technol. B 24 (2006) pp1591-1594.

2.6.11 Articulo 2.1.a.74, Tesis de Maestría de J.S. Rojas-Ramirez : J.S. Rojas-Ramírez, A. Pulzara-Mora, E. Cruz-Hernandez, A. Perez-Centeno, M. Melendez-Lira, V.H. Mendez-Garcia, M. López-López, “Photoreflectance study of InAs quantum dots on GaAs(n 1 1) substrates”, Physca E 32 (2006) 139-143.

2.6.12 Articulo 2.1.a.78, Tesis de Doctorado, E. Cruz-Hernández, A. Pulzara-Mora, J. Rojas-Ramirez, R. Contreras-Guerrero, D. Vazquez, A.G. Rodríguez, V.H. Méndez- García, and M. López-López, “Study of the GaAs MBE growth on (631) oriented substrates by Raman spectroscopy” Journal of Crystal Growth 301-302 (2007) 884- 888.

2.6.13 Articulo 2.1.a.83, Tesis de Doctorado, S. Gallardo, Y. Kudriatsev, A. Villegas, G. Ramírez, R. Asomoza, E. Cruz-Hernández, J.S. Rojas-Ramirez, M. López-López. “SIMS characterization of segregation in InAs/GaAs heterostructures” Appl. Surf. Sci. 255 (2008) 1341-1344.

2.6.14 Articulo 2.1.a.84, Tesis de Doctorado J. S. Rojas-Ramírez, R. Goldhahn , P. Moser, J. Huerta-Ruelas, J. Hernández-Rosas, M. López-López. “Temperature dependence of the photoluminescence emission from InxGa1-xAs quantum wells on GaAs(311) substrates” J. Appl. Phys. 104 (2008)12430.

2.6.15 Articulo 2.1.a.85. Tesis de Doctorado, A. Guillén-Cervantes, Z. Rivera-Álvarez, M. López-López, I. Koudriavtsev, V.M. Sánchez-Reséndiz “Photoluminescence and Secondary Ion Mass Spectroscopy characterization of GaAs-AlGaAs quantum wells grown on GaAs (100) substrates with different surface treatments” Appl. Surf. Sci. 255 (2009) 4742-4746.

2.6.16 Articulo 2.1.a.86. Tesis de Doctorado, R. Contreras-Guerrero, A. Guillén-Cervants, Z. Rivera-Alvarez, A. Pulzara-Mora, S. Gallardo-Hernández, Y. Kudriatsev, V.M.

Sánchez-Resendiz, J. S. Rojas-Ramírez, E. Cruz-Hernández, V.H. Méndez-García, L. Zamora-Peredo and M. López-López. “Study of AlGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates subjected to different treatments”. J. Cryst. Growth 311(2009)1666.

2.6.17 Articulo 2.1.a96. Tesis de Maestría, H. Morales-Cortes, C. Mejia-Garcia, V.H. Mendez-Garcia, D. Vazquez-Cortes, J.S. Rojas-Ramirez, R. Contreras-Guerrero, M. Ramirez-Lopez, I. Martinez-Velis, M. Lopez-Lopez, “Effects of in situ annealing of GaAs(100) substrates on the subsequent growth of InAs quantum dots by molecular beam epitaxy”, Nanotechnology 21 (2010) 134012.

2.6.18 Articulo 2.1.a.102. Tesis de Doctorado, Martinez-Velis I, Contreras-Guerrero R, Rojas-Ramirez JS, Ramirez-Lopez M, Gallardo-Hernandez S, Kudriatsev Y, Vazquez-Lopez C, Jimenez-Sandoval S, Rangel-Kuoppa VT, Lopez-Lopez M, “Photoreflectance study of GaMnAs layers grown by MBE”, J Cryst Growth 323 (2011) 344-347.

2.6.19 Articulo 2.1.a.122. Tesis de Doctorado, Ramirez-Lopez M, Casallas-Moreno YL, Perez-Caro M, Escobosa-Echevarria A, Gallardo-Hernandez S, Huerta-Ruelas J, Lopez-Lopez M. Study of interference effects on the photoluminescence of AlGaN/GaN quantum wells. Phys. Stat. Solidi C (2015) VOL 12, No 4-5, 365-368.

2.6.20 Ariticulo 2.1.a.126. Tesis de Doctorado, Y.L. Casallas-Moreno, S. Gallardo- Hernández, F. Ruiz-Zepeda, B.M. Monroy, A. Hernández-Hernández, A. Herrera- Gómez, A. Escobos-Echavarría, G. Santana, A. Ponce, M. López-López. As4 overpressure effects on the phase purity of cubic GaN layers grown on GaAs substrates by RF-MBE. Applied Surface Science, Vol 353, 30 October 2015, Pages 588–593.

2.6.21 Articulo 2.1.a.138 Tesis de Doctorado, Hernández-Gutiérrez C.A., Kudriavtsev Y., Cardona D., Guillén-Cervantes A., Santana-Rodríguez G., Escobosa A., Hernández-Hernández L.A., López-López M. InxGa1-xN nucleation by In+ ion implantation into GaN. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, (2017) Vol. 413, Pag 62- 67.

2.8. PATENTES OTORGADAS

2.8.b.1 Autores: Máximo López, Tomonori Ishikawa, Yasuhiro Nomura,

Nombre de la patente: Un método para fabricación de nanoestructuras semiconductoras.

Número de registro: 5-58319.

Desarrollada en Japón, en 1993.

Descripción: Se describe un nuevo método para la fabricación de hilos cuánticos por medio del crecimiento epitaxial por haces moleculares sobre substratos grabados. Impacto: Los hilos cuánticos se usan en la región activa de dispositivos optolectrónicos como laseres semiconductores.

2.8.b.2 Autores: Tomonori Ishikawa, Noboyuki Tanaka, Máximo López, Isamu Matsuyama,

Nombre de la patente: Método para formar un grabado extra fino.

Número de registro: G-953.

Desarrollado en Estados Unidos, en 1994.

Descripción: Se describe un método para mejorar la uniformidad de capas de óxido de GaAs usadas como máscaras en litografiado por haz de electrónes.

Impacto: Las capas de óxido de GaAs con alta uniformidad se usan para formar grabados del orden de 20nm por medio de litografía con haz de electrónes.

2.12 DIVULGACION CIENTIFICA

2.12.c. Capitulos de libros o artículos en revistas de difusión científica

2.12.c.1, T. Ishikawa, M. López, Y. Nomura. “Fabrication of quantum wires by molecular beam epitaxial growth”. Optonews, vol. 37 pg. 563 a 565 (1994).

2.12.c.2, M. López-López y M. Meléndez Lira. “Pozos, hilos y puntos cuánticos: estructuras cuánticas semiconductoras de baja dimensión”. Avance y Perspectiva, vol 16, pg 243 a 254 (1997).

2.12.c.3, Máximo López López y Víctor Hugo Méndez Garcia “Autoensamblado de puntos cuánticos semiconductores. CINVESTAV, 27-1, 44-49, 2008.

2.12.c.4. Máximo López López, “Nanoestructuras semiconductoras aplicadas a dispositivos de efecto Hall cuántico”, Aportaciones científicas y humanísticas mexicanas en el siglo XX, Fondo de Cultura Económica 2008, pp496-508.

2.12.c.5. Aplicaciones de Semiconductores basados en nitruros III-N: dispositivos fotovoltaicos, un caso particular”. M. Lopez-Lopez, M. Ramírez López, G.Contreras Puente, G. Santana Rodríguez, R. Mendoza Pérez, J Aguilar Hernández, F. de Moure Flores, L. Zamora Peredo, V.H. Méndez García, O de Melo, J. Huerta Ruelas. Revista de Energías Renovables No. 20. Oct-Dic 2013. pp 12-16

3. FORMACION DE RECURSOS HUMANOS

3.1. CURSOS TEORICOS Y/O PRACTICOS

3.1.a Programas de Posgrado del CINVESTAV

3.1.a.1 Estado Sólido, Departamento de Física, Septiembre 1996 - Enero 1997. No. de horas: 48

3.1.a.2 Mecánica Clásica, Depto. de Física, Cursos Propedéuticos, Verano 1997. No. de horas: 36

3.1.a.3 Electrodinámica, Cursos Propedéuticos, Verano 2000. No. de horas: 36

3.1.a.4 Electrodinámica, Curso Propedéuticos, Verano 2001. No. de horas: 36

3.1.a.5 Electrodinámica, Curso Propedéutico, Verano 2002. No. de horas: 36

3.1.a.6 Mecánica Clásica, Depto. de Física, Cursos Propedéuticos, Verano 2003. No. de horas: 36

3.1.a.7 Curso Optativo, "Intoducción a la Sintesis y Caracterizacioón de Nanoestructuras Semiconductoras" Depto. de Física, 2004. No. de horas: 48

3.1.a.8 Electrodinámica, Curso Propedéutico, Verano 2006. No. de horas: 36

3.1.a.9 Semiconductores, Doctorado y Maestría en Ciencia e Ingeniería de Materiales, Agosto 2008 - Dic 2008. No. de horas: 64.

3.1.a.10 Estado Sólido, Departamento de Física, Agosto 2009 – Dic 2009. No. de horas: 48.

3.1.a.11 Mecánica Clásica, Depto. de Física, Cursos Propedéuticos, Verano 2011. No. de horas: 36.

3.1.c Programas de nivel Licenciatura

3.1.c.1.Matemáticas I, México 1987, Licenciatura, Universidad Autónoma Metropolitana, División de Ciencias Básicas e Ingeniería, Azcapotzalco, No. de horas 49.5 hrs.

3.1.c.2. Matemáticas I, México 1988, Licenciatura, Universidad Autónoma Metropolitana, División de Ciencias Básicas e Ingeniería, Azcapotzalco, No. de horas 49.5 hrs 3.1.c.3. Mecanica Clasica 2008, Licenciatura, Universidad Universidad Nacional Autónoma de Mexico, Campus Juriquilla No. de horas 64 hrs.

3.1.c.4. Mecanica Clasica 2009, Licenciatura, Universidad Universidad Nacional Autónoma de Mexico, Campus Juriquilla No. de horas 64 hrs.

3.2 DIRECCION DE TESIS

3.2.a Tesis de Doctorado

3.2.a.1 "Estudio del crecimiento de peliculas de ZnSe por epitaxia de haces moleculares sobre substatos de Si. Victor Hugo Mendez Garcia. Departamento de Física, Cinvestav-IPN. Tesis de Doctorado, director. Diciembre de 1999.

3.2.a.2 "Crecimiento de películas de Telurio de Cadmio mediante la técnica de epitaxia por haces moleculares". Jorge Adalberto Huerta Ruelas. Instituto de Investigación en Comunicación Optica, Universidad Autónoma de San Luis Potosí. Tesis de Doctorado, co-director con Dr. Orlando Zelaya, Abril de 2000.

3.2.a.3 “Estudio de las características ópticas y estructurales del sistema ZnSe/GaAs(100) con diferentes capas colchón.” Javier Luyo. Departamento de Física, Cinvestav-IPN. Tesis de Doctorado, co-director con Dr. Miguel Meléndez Lira. Mayo de 2000.

3.2.a.4 "Estudio de las propiedades ópticas y estructurales y del mecanismo de crecimiento de la heteroestructura GaN/Si por epitaxia de haces moleculares". Mario Cervantes. Departamento de Física, Cinvestav-IPN. Tesis de Doctorado, director. Abril 2003.

3.2.a.5 “Fabricación de nanoestructuras con confinamiento en 3 dimensiones mediante epitaxia por haces moleculares”. Departamento de Física, Cinvestav-IPN Armando Pérez Centeno. Tesis de Doctorado, co-director con el Dr. V.H. Méndez García. Junio 2004

3.2.a.6 “Caracterizacion optica y electrica de heteroestructuras AlGaAs/GaAs de dispositivos de efecto may cuantico” Luis Zamora Peredo, Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Facultad de Ciencias. Tesis de Doctorado, co- director con el Dr. V.H. Méndez García. Mayo 2005.

3.2.a.7 “Estudio de películas semiconductoras de compuestos III-V-N crecidas por evaporación catódica y epitraxia por haces moleculares ”Alvaro Orlando Pulzara Mora, Departamento de Física, Cinvestav-IPN. Tesis de Doctorado, director. Marzo 2006.

3.2.a.8 “Síntesis y caracterización de nanoestructuras III-V sobre substratos de GaAs(631) por Epitaxia de Haces Moleculares” Esteban Cruz Hernández Especialidad de Física, Departamento de Física, Cinvestav-IPN. Tesis de Doctorado, Director de Tesis: Dr. Máximo López López. Septiembre 2008.

3.2.a.9.“Caracterización SIMS de heteroestructuras semiconductoras InxGa1xAs/GaAs por Epitaxia de Haces Moleculares”, Salvador Gallardo Hernández.

Departamento de Ingeniería Eléctrica, Cinvestav-IPN. Tesis de Doctorado Directores de Tesis: Máximo López López y Yury Kudriavtsev. Octubre 2009.

3.2.a.10. “Caracterización Estructural y Optida de Peliculas Delgadas de GaN” José Angel Guillén Cervantes, CICATA-IPN. Tesis de Doctorado, Directores de Tesis Dr. Máximo López López y Miguel Angel Aguilar Frutis. Junio de 2010.

3.2.a.11. “Estudio de superficies de GaAs tratadas por diferentes procesos in-situ y ex- situ para aplicaciones en dispositivos optoelectronicos y electrónicos”. Rocio Contreras Guerrero, Departamento de Física, Cinvestav-IPN. Tesis de Doctorado. Director de Tesis: Dr. Maximo Lopez Lopez. Julio de 2010.

3.2.a.12. “Estudio de nanoestructuras de InGaAs fabricadas sobre substratos de GaAs(n11) por epitaxia de haces moleculares” Juan Salvador Rojas Ramírez Director de tesis: Dr. Máximo López López. 27 de enero 2012.

3.2.a.13. “Estudio del material GaMnAs crecido por epitaxia de haces moleculares”. Isaac Martínez Velis Director de tesis: Dr. Máximo López López. 9 de agosto 2013.

3.2.a.14. “Estudio de películas, pozos cuánticos y nanoestructuras de semiconductores III-N crecidos por epitaxia de haces moleculares asistida por plasma”. Manolo Ramírez López Directores de tesis: Dr. Máximo López López y Dr. Gerardo Gonzalez de la Cruz. 18 de abril de 2014.

3.2.a.15. “InN y GaN en fase cúbica sobre sustratos de GaAs(001) por Epitaxia por Haces Moleculares asistido por plasma”. Yenny Lucero Casallas Moreno. Tesis de Doctorado. Cinvestav. Septiembre 2015. Director de tesis: Dr. Máximo López López.

3.2.a.16. “Síntesis y caracterización de nanoestructuras basadas en III-V para su aplicación en celdas solares”. Carlos Alberto Hernández Guitérrez. Tesis de Doctorado Cinvestav. Enero 2018. Directores de tesis: Dr. Iouri Koudriastev y Dr. Máximo López López.

3.2.a Tesis de Maestría

3.2.b.1 "Influencia de un ataque quimico con gas de Cl2 en las interfaces de estructuras cuánticas de GaAs/AlGaAs". Claudio Davet Gutierrez Lazos. Departamento de Física, Cinvestav-IPN. Tesis de Maestría, co-director con Dr. Miguel Meléndez Lira. Octubre de 1999.

3.2.b.2 “Estudio de las propiedades ópticas y estructurales de tiras cuánticas fabricadas mediante un procesamiento in-situ”. Armando Perez Centeno. Departamento de Física, Cinvestav-IPN. Tesis de Maestría, director. Noviembre 2000.

3.2.b.3 “Caracterización óptica de pozos cuánticos de AlxGa1-xAs crecidos por epitaxia de haces moleculares sobre substratos de GaAs atacados químicamente por Cl2.” Oscar Cano Aguila, Escuela Superior de Física y Matemáticas-IPN. Tesis de Maestría, co-director con Dr. Jaime Ortiz Enero de 2001.

3.2.b.4 "Caracterización óptica y estructural de pozos cuánticos crecidos por MBE con interrupciones de crecimiento". Alejandra Paola Acosta Díaz, Escuela Superior de Física y Matemáticas-IPN. Tesis de Maestría, director. Diciembre de 2002.

3.2.b.5 "Cajas e hilos cuánticos heteroestructurados de AlGaAs/GaAs fabricados por MBE sobre sustratos grabados". Gerardo Gámez Corral, Escuela Superior de Física y Matemáticas-IPN. Tesis de Maestría, director. Diciembre de 2002.

3.2.b.6 “Estudio de los campos piezo-eléctricos en pozos cuánticos de InGaAs/GaAs con esfuerzos crecidos por MBE sobre substratos de GaAs(11n)A” Cristo Manuel Yee Rendón. Departamento de Física, Cinvestav-IPN Tesis de Maestría, director. Abril 2003.

3.2.b.7 “Caracterización Óptica de Heteroestructuras de AI2Ga1-xAs/GaAs con aplicaciones en Metrología”. Jose Angel Guillen Cervantes. Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada IPN, Tesis de Maestria. Marzo 2004.

3.2.b.8 “Estudio de la formación de nanofacetas durante el crecimiento de GaAs sobre sustratos (631)”. Esteban Cruz Hernández. Cinvestav-IPN Tesis de Maestría, director, noviembre 2004.

3.2.b.9 “Crecimiento homoepitaxial de GaAs en superficies (631). Francisco Javier Ramírez Arenas. IICO-Universidad Autónoma de San Luis Potosí, Tesis de Maestría, director, Febrero 2005.

3.2.b.10 "Investigación del crecimiento por epitaxia de haces moleculares de puntos cuánticos de InAs sobre substratos de GaAs(n11)". Juan Salvador Rojas Ramírez, director, CINVESTAV-IPN. Tesis de Maestría. Marzo 2005.

3.2.b.11 "Estudio de pozos cuánticos crecidos por MBE sobre sustratos sometidos a diferentes tratamientos". Rocío Contreras Guerrero. CINVESTAV-IPN, director, Tesis de Maestría. Octubre 2005

3.2.b.12 “Estudio del efecto Hall cuántico en heteroestructuras semiconductoras desarrolladas en México para producir la unidad de resistencia eléctrica”. Felipe

Hernández Marquez. Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada IPN, Tesis de Maestria. Abril 2006.

3.2.b.13 “Estudio del Crecimiento de InAs sobre sustratos deGaAs(631)” Isaac Martínez Velis,. Departamento de Física, Cinvestav-IPN. Octubre 11, 2007.

3.2.b.14 “Estudio de las propiedades óptica y estructurales de puntos cuánticos de InAs sobre substratos de GaAs(100) con tratamiento térmico”. Humberto Morales Cortes. Escuela Superior de Física y Matemática IPN. Septiembre 2009.

3.2.b.15 “Crecimiento y Caracterización de β-InN Sintetizado por epitaxia de haces moleculares”. Yenny Lucero Casallas Moreno, Cinvestav-IPN. 9 ede diciembre 2011.

3.2.b.16 “Crecimiento y caracterización de sistemas de baja dimensionalidad” Luis Martínez Ara, ESFM-IPN. 11 de septiembre 2013. Directores de Tesis: Dr. Máximo López López y Dr. Fray de Landa Castillo.

3.2.b.17 “Diseño y caracterización de celdas solares crecidas en GaN” José Angel Espinosa Figueroa. UASLP. 12 de agosto de 2013.

3.2.b.18 “Estudio de dopado tipo δ de Mn en pozos cuánticos de InGaAs”. Gilberto Gamaliel Diaz Monroy, Cinvestav-IPN, 14 Diciembre 2015. Director de Tesis: Dr. Máximo López López.

3.2.b.19. Jose Alberto Piedra Lorenzana, “"Efecto del dopado con Mg en la fabricación micro y nano estructuras de GaAs por epitaxia de haces moleculares", Cinvestav-IPN, 8 Diciembre 2015. Director de Tesis: Dr. Máximo López López.

3.3 Tesis de Licenciatura

3.3.1 “Estudio de la superficie de substratos de arsenuro de galio sometidos a tratamiento térmico en ultra alto vacío y su influencia en los crecimientos de películas de selenuro de zinc por epitaxia de haces moleculares”. José Angel Guillen Cervantes, Escuela Superior de Ingeniería Mécanica y Eléctrica IPN. Tesis de Licenciatura, co-director. Octubre de 1997.

3.3.2. “Estudio de fotoluminiscencia de pozos cuánticos de AlGaAs/GaAs crecidos por epitaxia de haces moleculares sobre substratos de GaAs atacados químicamente por Cl2”. Oscar Cano Aguilar, Facultad de Ciencias Fisico Matemáticas, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla. Teisis de Licenciatura, director. Enero 1999.

3.3.3. “Caracterización óptica de pozos cuánticos de AlGaAs/GaAs crecidos por MBE con interrupcion de crecimiento”. Paola Acosta Diaz, Univerisidad de Sonora, Tesis de Licenciatura, director, Septiembre 2001.

3.3.4. “Estudio de la formación de puntos cuánticos de InAs sobre sustratos de GaAs(n11)”, Humberto Morales Cortes, Escuela Superior de Ingenieria Mecanica y Electrica del IPN, co-director de tesis, diciembre 2005.

4 Edición de revistas.

• Editor de la revista Superficies y Vacío 1999-a 2011. • Editor invitado de Thin Solid Films vol. 373, Nos.1,2 • Miembro del Consejo Editorial del Boletín de la Sociedad Mexicana de Física 2000- 2003

5 Conferencias Invitadas

5.1, 20th International Symposium on GaAs and Related Compounds, Alemania 1993.

5.2, International Conference on Solid State Devices and Materials, Japón 1994.

5.3, International Conference on Microprocess Technology, 1995. Japón. 1995.

5.4, XV Congreso Nacional de la Sociedad Mexicana de Ciencia de Superficies y de Vacío, México 1995. (Plenaria)

5.5, 5th North American Chemical Congress, Symposium on Dynamics and Chemestry of thin film growth. Noviembre 11-15, Cancún. 1997. (Plenaria)

5.6, XIV Simposio Latinoamericano de Física del Estado Sólido Leo Falicov, Oaxaca, Oax. 11-16 enero de 1998. (Plenaria)

5.7, 15th Latin American Symposium on Solid State Physics. Cartagena, Colombia, Noviembre 1999.

5.8, 12th International Congress on Thin Solid Films, Bratislava, Slovakia, September 2002. (Plenaria)

5.9 Congreso Internacional en Ciencia e Ingenieria de Materiales, Queretaro, Qro. Noviembre 2003. (Plenaria)

5.10 1st International Conference on Electrical and Electronics Engineering (ICEEE-2004), Acapulco, México 8-10 september, 2004. (Invitada)

5.11 2nd International Workshop on Modulation Spectroscopy of Semiconductor Structures, June 2006, Wroclaw, Polonia (Platica Invitada)

5.12 Encuentro de Investigacion en Ingenieria Electrica, ENINVIE2010, Zacatecas, Zac, Marzo 25, 2010 "Desarrollo de nanoestructuras semiconductoras por epitaxia de haces moleculares para aplicaciones en dispositivos electronicos y optoelectronicos" (Sesion Plenaria).

5.13. Ehime University, Matsuyama, Japon. Julio 27, 2009. "Research activities in MBE" (Platica Invitada)

5.14 M. XXI International Materials Research Congress. 12-16 de agosto de 2012. Cancún, México. “Growth and charecterization of N-rich InGaN alloys by plasma- enhanced Molecuar Beam Epitaxy”. Platica invitada.

5.15. 1er Congreso Internacional de Fisica, Matemáticas y Electrónica. Universidad Autónoma de Sinaloa. 12 de octubre 2012. M. López López. Crecimiento y caracterización de nanoestructuras de semiconductores III-V y III-N. Platica invitada.

5.16. Conferencia Internacional Nuevos Materiales en la Era de la Convergencia. La Habana Cuba. 11 al 15 de marzo de 2012. M. López López. “Self-assembling of III- V and III-N semiconductor nanostructures”. Platica Invitada.

5.17 M. López-López Platica Invitada. Growth of III-N semiconductors by Molecular Beam Epitaxy. VII International Conference on Surfaces Materials and Vaccum 2014. Octubre 6-10, 2014.

5.18 M.López-Lopez Conferencia Invitada. Crecimiento por epitaxia de haces moleculares de semiconductores III-N. 3ª reunion de la División de Materia Condensada, SMF. Morelia, Michoacan Sept 2014.

5.19 M. Lopez-Lopez Platica Plenaria. Quantum systems produced by molecular beam epitaxy. Quantum Fest 2015. Estado de Mexico, Mexico October 19-23, 2015.

5.20 M. Lopez Lopez,

Growth of Cubic InGaN/GaN Quantum Wells on GaAs(100) by Molecular Beam Epitaxy. Platica Invitada. XXV International Materials Research Congress, Cancun, Mexico August 14-19 2016.

5.21. M. Lopez Lopez, Crecimiento por epitaxia de haces moleculares de semiconductores III-N. Encuentro de Egresados Distinguidos de la ESFM-IPN, Ciudad de Mexico Octubre 20, 2016.

5.22. M. Lopez Lopez, Synthesis of cubic III-N compound semiconductors by Molecular Beam Epitaxy for solar cell applications. Platica Invitada. Polymat 2017. Huatulco, Mexico, Octubre 2017.

5.23. M. Lopez-Lopez Conferencia Invitada. Métodos Físicos para la fabricación de Nanoestructuras, aplicaciones en electrónica. Museo Universum, UNAM Ciudad Universitaria. Septiembre 2017

5.24. M. Lopez-Lopez, Producción de Nanoestructuras y dispositivos cuánticos en semiconductores III-V y III-N. XXVIII Jornadas de Divulgación de la Ciencia. BUAP, Puebla, Mexico, marzo 2018

6. Organización de Congresos Internacionales.

• Organizador de la sesión A6: MBE-Growth en Eighth International Conference on Molecular Beam Epitaxy. Osaka, Japan, Agosto 1994..

• Organizador de 11th International Conference on Thin Films. Cancun, México, Agosto 1999.

• Organizador del 20 Congreso Nacional de la Sociedad Mexicana de Ciencia de Superficies y Vacio en conjunto con III Workshop on Optoelectronic Materials and their Aplications. Oaxaca, México 2000.

• Organizador de la 5th IUVSTA School of Photovoltaic Materials and Devices. Huatulco, 2003.

• Congreso Internacional en Ciencia e Ingeniería de Materiales, Queretaro, Mexico, Nov. 2004.

• Organizador del Simposium sobre Nanoestructuras en "IV International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum", Puerto Vallarta, Jalisco, Mexico, 26th - 30th September 2011.

• Organizador del Simposium sobre Nanoestructuras en "VIII International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum", Puebla, Mexico, 21 – 25 September 2015.

• Organizador del Simposium sobre Nanoestructuras en "IX International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum", Mazatlán, Sinaloa, Mexico, 26 – 30 September 2016.

• Organizador del Simposium sobre Semiconductores en "X International Conference on Surfaces, Materials and Vacuum", Cd. Juárez, Chihuahua, Mexico, 25 – 29 September 2017.

• Co-Chair of the 31st North American Molecular Beam Epitaxy Conference. Quintana Roo, Mexico October 4-7, 2015.

7. Distinciones obtenidas:

7.1, Mejor promedio general en la Escuela Superior de Física y Matemáticas IPN. Generación 1985.

7.2, Mención honorífica en el Premio Nacional para la Juventud 1988.

7.3, Beca Monbusho del Gobierno de Japón para estudios de doctorado en Japón, 1988.

7.4, Investigador Nacional, Nivel 3 del SNI (2005 a la fecha).

7.5, Miembro del Colegio Electoral de la División de Estructuras Nanometricas de la International Union of Vacuum Science Technique and Applications (IUVSTA) 1998- 2016

7.6, Presidente de la Sociedad Mexicana de Ciencia de Superficies y Vacío 1998- 2000

7.7, Representante por México en la IUVSTA, 2001- 2004

7.8, Premio de Investigación 2003 de la Academia Mexicana de Ciencias Area de Ingeniería y Tecnología.

7.9. Premio “Intercovamex” a la mejor Tesis de Doctorado 2012, otorgado por la Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales. Estudiante: Juan Salvador Rojas Ramírez “Estudio de nanoestructuras de InGaAs fabricadas sobre substratos de GaAs(n11) por epitaxia de haces moleculares” Director de tesis: Dr. Máximo López López. 27 de enero de 2012.

7.10 Participación en el Comité del Fondo Mixto CONACyT-Gobierno del Distrito Federal. 2010 - 2012

7.11 Participación en el Comité de Evaluación de los “Premios Ciudad Capital: Heberto Castillo Martínez” Edición 2012.

7.12 Representante por México en la División de Vacuum Science and Technology de la IUVSTA, 2016- 2019.

7.13. Miembro del comité ISO/TC 201 "Surface chemical analysis", de la International Organization for Standarization.

8. Capitulos de Libros:

1. Pulzara-Mora, Alvaro, Juan Salvador Rojas-Ramírez, Víctor Hugo Méndez García, Jorge A. Huerta-Ruelas, Julio Mendoza Alvarez, and Máximo López López. "Self- Assembled InAs (N) Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy on GaAs (100)”, pp 101-118. Chapter Review in “State-of-the-Art of Quantum Dot System Fabrications”, Edited by Ameenah Al-Ahmadi, ISBN 978-953-51-0649-4, InTech 2012. DOI: 10.5772/45972

9. PROYECTOS DE INVESTIGACION

9.1. REDUCCION DE LA DENSIDAD DE DEFECTOS EN PELICULAS DE SELENURIO DE ZINC Y ALEACIONES DE COMPUESTOS II-VI CRECIDAS Proyecto Conacyt. 02/sep/1998 - 28/feb/2000

9.2. GAIN(N)AS QUANTUM DOTS FOR FIBER-OPTIC COMMUNICATION APPLICATIONS Proyecto UC-MEXUS. 09/sep/2004 - 30/dic/2005

9.3. FABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS DE EFECTO HALL CUÁNTICO PARA EL DESARROLLO DEL PATRÓN DE RESISTENCIA ELECTRICA. Proyecto con el CENAM. 04/mar/2002 - 18/jul/2006

9.4. ESTUDIO DE ALEACIONES DE NITRUROS III-V-N: MECANISMOS DE CRECIMIENTO, PROPIEADES FISICAS Y SINTESIS DE SISTEMAS DE BAJA DIMENSION. Proyecto Conacyt. 11/jun/2004 - 12/jun/2007

9.5. CRECIMIENTO Y CARACTERIZACION DE ALEACIONES BINARIAS Y TERNARIAS DE MATERIALES III-N Y III-V-N. Proyecto Conacyt 06/nov/2006 - 31/dic/2008

9.6. DESARROLLO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES NANOESTRUCTURADOS PARA APLICACIONES EN DETECTORES DE RADIACION EN EL INFRAROJO Proyecto con el Instituto de Ciencia y Tecnología del DF. 08/ene/2008 - 30/jun/2010

9.7. DESARROLLO DE NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS III-V CON APLICACIONES EN FOTODETECTORES EN EL INFRARROJO Proyecto Conacyt. 17/sep/2008 - 16/sep/2011

9.8. CREACION DE UN LABORATORIO PARA EL PROCESAMIENTO DE DISPOSITIVOS MICROELECTRONICOS Y OPTOELECTRONICOS. Proyecto con el Instituto de Ciencia y Tecnología. 01/abr/2011 Fin: 30/ago/2013

9.9. FABRICACION DE CELDAS SOLARES DE ALEACIONES SEMICONDUCTORAS BASADAS EN GA(IN)N Proyecto SENER-Conacyt. 18/ene/2012 – abril 2016

9.10. COST-EFFICIENT AND RADIATION-TOLERANT PIXEL DETECTORS FOR IONIZING RADIATION BASED ON THIN-FILM TECHNOLOGY. Proyecto Innovate UK- Newton Fund. 2016-