20130909 반도체 1 레이아웃 1 Wmxetfrvtxosrw0v2fjy

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(Overweight) Sep. 2013 SSD =∫-(3D NAND) 9

Analyst Issue ☎ 2184-2392 [email protected] R.A. ☎ 2184-2334 Pitch [email protected]

Coverage opinion Top-picks

Rationale

CAGR +19%,

2X Density

2X Write Speed

1/2 Power Consumption

10X Endurance C.o.n.t.e.n.t.s

03 I. Summary

04 II. Key Chart & Table

06 Ⅲ. SSD, NAND 수요 다음 장 동력 06 Ⅲ-1. NAND 수요의 차세대 killer application은 SSD 08 Ⅲ-2. SSD 시장 성장 속도를 좌우하는 것은 가격

11 Ⅳ. 3D NAND 중화 시 SSD 수요 큰 폭 장 11 Ⅳ-1. 3D NAND 대중화 시 SSD 수요의 큰 폭 성장 가능할 것으로 전망 14 Ⅳ-2. 3D NAND란 무엇인가? 22 Ⅳ-3. 3D NAND가 시장에 영향을 미치는 시기는 2015년 이후

24 Ⅴ. 컨트롤러, SSD 경쟁력을 좌우하는 또 다른 축

27 Ⅵ. SSD 시장 경쟁 구도

29 Ⅶ. 목 투자견 30 삼성전자 (005930) 32 SK하이닉스 (000660) In-Depth ◀▶ 반도

I. Summary

3D NAND는 SSD 수요 장 인 3D NAND 현으 SSD 장 화될 망다. SSD 원 약 80%를 하 SSD 시장 현재 시장 추정치 NAND 칩 원 크 절감되 한 , 대용량화도 능할 것기 때문다. 트 SSD 2~3배까지 장할 것으로 망 장은 2013년 110억달러서 2017년 222억달러 (CAGR +19%, 2013년~2017년) 장할 것으 망하고 있다. 3D NAND 현 반되 은 수 3D NAND 현과 함 SSD 장 상기 수 2~3배 수으 장할 것으 망하고 있다.

V-NAND는 Planar NAND 대비 8 6 V-NAND ( 3D NAND) 장 하 3D ① 능 개선되었고 NAND 기술 고 있다. 3D NAND Planar NAND서 수으 나되어 있 트 ② 단위당 도 절감 스를 수으 적한 것다. 3D NAND 한 적 위 Planar NAND 대비 은 수 ③ 대용량화도 능 적할 수 있기 때문 원 서 우위를 다. 한 3D NAND 선 현재 적용하고 있 것보다 만 요 어 현상 및 대용량화 한 등 Planar NAND 적인 문 및 장비 서 유 수 있다 장점도 다.

, 도시바/샌디크 3D NAND 기술 경쟁력 으 향후 SSD 장 장 수혜를 수 있 체를 3D NAND 기술경쟁력 우위 확보 수 있다. 3D NAND 경쟁력 우수한 체 와 도바/샌디스크인 것으 판단다. 2014년 상반기 공장서 V-NAND 생 하고 있다. 2015년 후 본격적으로 V-NAND 후 도바 P-BiCS 기를 기 2015년 하반기서 2014년 양산 될 것으로 망 으 당 것으 추정다. 마크론과 SK하닉스 2016년 대량 능할 망다.

컨트롤러도 SSD 능을 좌우 컨트롤러 SSD 경쟁력 판단하 다 중요 요인다. SSD 능 좌우하기 때문다. 3D 3D NAND 되어도 NAND 변경다 하도 SSD 컨트롤러 변화 크 것으 보인다. 컨트롤러 경쟁 컨트롤러 변화 크지는 않음 력 뛰어 체 , 인텔, LSI (Sandforce)다. PC SSD 및 Enterprise SSD용 컨트롤러를 모두 체 보유하고 있다. 트어 를 적용해 장서 능 , 인텔, LSI 뛰어나다 를 고 있다. 인텔은 Enterprise SSD용 컨트롤러만, 도바 인텔과 반대 컨트롤러에서 경쟁력 강함 PC SSD용 컨트롤러만 보유하고 있다. SK하닉스 2012년 LAMD를 인수해 컨트롤러 경쟁력 화하고 있다. 마크론은 체 컨트롤러를 보유하고 있 다.

SSD 시장경쟁력은 현재 SSD 장서 , 인텔 경쟁 우위 두드러다. PC SSD 및 Enterprise SSD , 인텔 우위 두드러짐 장서 각각 두각 나내고 있 도바와 Fusion-io 2중 도를 고 있고, 마크론, 샌디스크 를 고 있다. 다수 체 해 있다. 와 인텔은 NAND 칩 달 내재화되어 있고 컨트롤러 경쟁력 한 체 공점 고 있다.

결론1. 수혜 <론> 1. 3D NAND 현, 고 SSD 장 장 수혜 예상 다. V-NAND 기술력 및 경쟁력 NAND 칩 체 중 장 서있고, 컨트 롤러 기술 한 뛰어나다. V-NAND를 기반으 한 SSD 으 Enterprise SSD 장 경쟁력 화할 수해 고 있어 향후 Enterprise SSD 장 내 경쟁력 화 예상다. SK하닉스도 SSD 컨트롤러 사 인수 등 해 SSD 경쟁력 화 중인 것으 보인다. 결론2. 증착 및 식각 장비 업체 수혜 2. 3D NAND서 1) 장비 중요 되 한 , 2) 증착 및 식각 공정 도 및 스텝수 크 증한다. 내 반도체 장비체 중 테스 (095610), 원익 IPS (030530), 트 (053740)등 3D NAND 비 확대 수혜 능할 망다.

3 Page In-Depth ◀▶ 반도

II. Key Chart & Table

Fig. 01 SSD는 NAND 수요 차세대 killer application Fig. 02 SSD 능은 HDD 대비 뛰어나 CAGR 43% YV 53313 +JE#Ht1/#eq, ('13~'17) 66' +'' 호출시간 314#pv 818;13#pv 49313 VVG SPS#+PS6# 㒖㘒, SSD VVG⠂#Ḫ㎯#∷ᑮಪ#㞒◖#Ἂᨮ Preloh#Skrqh XVE 55% ⸆∶ I/O 성능 ⸆Ꭺ 9333#LR2v VVG⠂#∷ᑮಪ#KGGᶞᎎ#48᳚#Ἂᨮ 733#LR2v 45313 Wdeohw#SF Rwkhu Mobile Idloxuh#udwh 안정성 Idloxuh#udwh Fdugv phone 41% 318( VVGಪ#743᳚#ሼ⟶ 58( ;313 58#zdwwv전력소모 948#zdwwv Tablet PC 7313 48% 4(CPU 사용 :(

3 53#pvI/O 시간 733833#pv 백업시간 5338 533: 533< 5344 9#krxuv 5357#krxuv 5346H 5348H 534:H VVGಪ#68᳚#Ἂᨮ

Source: Gartner, KTB Source: , KTB

Fig. 03 SSD 격은 HDD 격 대비 높은 것 단점 Fig. 04 3D NAND Net die수는 Planar NAND 대비 많아 <13 +'2JE, ;3 VVG KGG +᳚, 713 +᳚, ;13 VVG2KGG +❚⸿, :13 8715 93 613 913 813 513 6314 73 713 5;17

613 4:15 413 4716 4417 53 513 <1; :19 914 71; 413 313 Sodqdu#QDQG 6G#QDQG# 6G#QDQG 313 3 533; 533< 5343 5344 5345 5346 5347 5348 5349 534: +54qp#POF,# +6[qp#POF, +6[qp#WOF,

Source: Industry Data, KTB Source: Industry data, KTB

Fig. 05 V-NAND 특은 Planar NAND 대비 뛰어나 Fig. 06 SSD 비교 (Planar NAND vs. V- NAND) 20nm Planar NAND 3Xnm V-NAND Less 2X Density #Exloglqj#57#od|huv#surylghv#wzlfh#wkh#ghqvlw| Real Estate

Sodqdu#QDQG#VVG Y0QDQG#VVG Rqh#wlph#surjudpplqj#shhu#Zrug#Olqh +;Fk/#;glhv2fk, +;Fk/#7glhv2fk, 2X Write Speed Gxh#wr#qr#lqwhuihuhqfh#ehwzhhq#Z2Ov 3HUIRUPDQFH 3RZHU 22% 20% 27% 45% Faster Faster Lower Lower 1/2 Power Consumption Ehfdxvh#ri#425#uhdg2zulwh#fxuuhqw Higher Performance

Low Power #Xqltxh#fkdujh#wuds#od|hu#vxssruwv Consumption Planar NAND based SSD V-NAND based SSD Planar NAND based SSD V-NAND based SSD

10X Endurance Normalized(a.u) Vhtxhqwldo Udqgrp Dyhudjh Shdn 43[#f|fohv#ri#surjudp#dqg#hudvh Zulwh+PE2v, Zulwh+LRSV, Srzhu+pZ, Srzhu+pZ,

Source: , KTB Source: , KTB

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3D NAND는 평면 구조 셀을 수직으로 쌓아 올린 구조적 Planar NAND에서 3D NAND로 환에 따라 증착 및 Fig. 07 특을 지니고 있음 Fig. 08 식각 공정 난도 및 텝수 크게 증

PLANAR 3D NAND

CD Definition and Scaling (<15nm) CD Definition and Scaling (~50nm) Olwkrjudsk| 1 Hwfk#dqg#Ghsrvlwlrq#Jurzv ETCH ETCH (+30 to +40%) Orzhu#dvshfw#udwlrv 2 Kljk#dvshfw#udwlrv DEPOSITION DEPOSITION (+50 to +60%) Vlqjoh#od|hu 3 Pxowl0od|hu#vwdfnv

Source: , KTB Source: AMAT, KTB

Fig. 09 NAND 업체별 3D NAND 양산 로드맵 Fig. 10 SSD 컨트롤러 업체별 경쟁력

3ODQDU1$1' '1$1'

9HQGRU

QPQP

QP;QP

6.+\QL[ " Pduyhoo Wrvkled Mplfurq VdqGlvn VN#K|ql{

VWDFNVVWDFNV Vdpvxqj

Source: Intuitive Cognition Consulting, KTB Source: IT brand, KTB

Fig. 11 SSD 제조 업체별 supply chain Fig. 12 업체별 PC SSD vs. Enterprise SSD M/S (2012년)

Company Controller NAND Interface

Vdpvxqj Fdswlyh Fdswlyh VDWD/#SFLh Wrvkled Fdswlyh/#OVL/#PUYO Fdswlyh VDWD/#SFLh 53( Intel Lqwho OVL/#PUYO Fdswlyh VDWD Plf urq PUYO Fdswlyh VDWD VdqGlvn Fdswlyh/#OVL/#PUYO Fdswlyh VDWD/#SFLh Fusion-IO PC SSD RF]#Whfkqrorj|#Jurxs Fdswlyh/#OVL WVE/#PX VDWD 48(( Olwh0Rq PUYO WVE VDWD Nlqjvwrq#Gljlwdo OVL/#Mplfurq WVE/#PX VDWD Fruvdlu OVL/#ODPG PX VDWD 43( Samsung Dsdfhu OVL/#Mplfurq/#Sklvrq WVE/#PX VDWD/#SDWD/#LGH VNK|ql{ OVL/#Fdslwyh Fdswlyh VDWD Google 8(( Lqwho Fdswlyh/#OVL/#PUYO Fdswlyh VDWD WD/Intel Hqwhusulvh#VVG#Pdunhw#Vkduh Ixvlrq0lr [lolq{ PX/#WVE/#Vdpvxqj SFLh STEC Vdpvxqj Fdswlyh Fdswlyh VDWD/#VDV/#dqg#qrz#SFLh SanDisk Jrrjoh [lolq{ WVE SFLh/#VDWD Smart Zhvwhuq#Gljlwdo#+Zlwk#Lqwho, Fdswlyh Lqwho VDV/#IF Enterprise SSD OZC QhwDss [lolq{ Vdpvxqj SFLh Lite-On MicronM Toshiba VWHF Fdswlyh VWE VDWD/#VDV/#IF/#SFLh VdqGlvn Fdswlyh Fdswlyh VDWD/#VDV/#SFLh 8( 43( 48(48( 53( 58( 63( 68( Vpduw#Vwrudjh Fdswlyh WVE VDWD/#VDV RF]#Whfkqrorj|#Jurxs Lqglolq{/#OVL/#PUYO WVE/#PX VDWD/#VDV/#SFLh SF#VVG#Pdunhw#Vkduh

Source: Gartner, KTB Source: Gartner, KTB

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Ⅲ. SSD, NAND 수요 다음 장 동력 Ⅲ-1. NAND 수요 차세대 killer application은 SSD

SSD는 NAND 수요 장 견인할 대 killer application은 SSD 것으 망한다. 장사 기인 NAND 수요 차세대 장 동력 트 SSD향 NAND 수요 CAGR (2013년~2017년)은 +54% 은 기 WW SSD향 NAND 수요 장률은CAGR NAND 수요 장인 +43%를 크 상할 것으 망하고 있다. 체 NAND +55% ‘13년~( ’17년) 수요서 SSD향 NAND 하 수요 비중은 2013년 29%서 2017년 41%까 증할 것으 추정다.

NAND Killer application NAND 수요 디 및 MP3 수요 확과 함 2005년부 본격적으 개화되기 :DSC, MP3 → 휴대폰 → SSD 작다. 2008년 재량 은 스마트 현과 함 대 NAND 수요 killer application으 등다. 러나 스마트 장 과 함 대향 NAND 수요 장은 2012년부 화되기 작다. 러한 NAND 수요 장 공 SSD 망다. 2013년부 SSD GB당 원 비 적 선으 인식되어 1달러 하 하해 SSD 수요 장 도 것으 예상다.

Fig. 13 Application별 NAND 수요 망 Fig. 14 Application별 NAND 수요 비중 망

CAGR 43% 93( Fdugv SPS#+PS6# 㒖㘒, 53313 +JE#Ht1/#eq, ('13~'17) Preloh#Skrqh Wdeohw#SF 83( VVG XVE Rwkhu 49313 VVG SPS#+PS6# 㒖㘒, SSD 73( Preloh#Skrqh XVE 55% 45313 Wdeohw#SF Rwkhu Mobile 63( Fdugv phone 41% ;313 53( Tablet PC 7313 48% 43(

3( 3

5338 533: 533< 5344 5338 5339 533: 533; 533< 5343 5344 5345

5346H 5348H 534:H 5346H 5347H 5348H 5349H 534:H

Source: Gartner, KTB Source: Gartner, SK, KTB

Fig. 15 NAND 연간 bit growth 망 Fig. 16 SSD $/GB 추 및 망

583( QDQG#e2j 7313 +XVG, 671: 533( 6313

483( 5313 433( :1; 4313 83( 61< 615 515 415 31< 31: 318 317 316 3( 313

5339 533; 5343 5345 533: 533; 533< 5343 5344 5345 5347H 5349H 5346H 5347H 5348H 5349H 534:H

Source: Gartner, KTB Source: Gartner, KTB

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SSD 시장 장률 2013년 SSD 장 규모 110.4억달러 (+55% YoY) 추정다. 2017년 SSD 장 규모 : CAGR +19% ‘13년~( ’17년) 222.1억달러 CAGR +19% (2013년~2017년) 장할 것으 예상다.

2013년 PC SSD 및 Enterprise SSD 장 규모 각각 67억달러 (+73% YoY) 및 43억달러 (+33% YoY), PC SSD 비중 약 61% Enterprise SSD 비중인 39% 대비 다. 러나 향후 클우딩컴퓨팅, 빅데 등 향으 Enterprise SSD 장 PC SSD 장 상할 것으 망다. 2017년 Enterprise SSD 장 규모 비중 47%까 증할 것으 예상다. 2017년 PC SSD 및 Enterprise SSD 장 규모 각각 117억달러 (CAGR +15%, 2013년~2017년), 106억달러 (CAGR +25%, 2013년~2017년) 추정다.

Fig. 17 SSD 시장규모 망 Fig. 18 SSD 시장규모 비중 (PC SSD vs. Enterprise SSD)

:3( Folhqw#VVG 58/333 +pq#XVG, FDJU#.4<(#+*46ᇮ*4:ᇮ, Hqwhusulvh#VVG

53/333 93( 87( Hqwhusulvh#VVG 48/333 84( 83( Folhqw#VVG 7<( 7:( 83( 78( 78( 7:( 43/333 75( 6<( 8/333 73(

3 63(

533; 533< 5343 5344 5345 533; 533< 5343 5344 5345 5346H 5347H 5348H 5349H 534:H 5346H 5347H 5348H 5349H 534:H

Source: Gartner, KTB Source: Gartner, KTB

Fig. 19 SSD향 NAND 수요량 Fig. 20 NAND 수요 비중 ((PC SSD vs. Enterprise SSD)

433( ;3/333 +JE#Ht1/#pq, FDJU#. 87(#+*46ᇮ * 4:ᇮ, Folhqw#VVG Hqwhusulvh#VVG

;3( 93/333 Hqwhusulvh#VVG Folhqw#VVG 93( 73/333 6:( 74( 77( 65( 73( 5:( 5;( 58( 56( 53/333 49( 47( 53(

3 3(

533; 533< 5343 5344 5345 533; 533< 5343 5344 5345 5346H 5347H 5348H 5349H 534:H 5346H 5347H 5348H 5349H 534:H

Source: Gartner, KTB Source: Gartner, KTB

Fig. 21 SSD 출량 망 Fig. 22 SSD 출량 비중 (PC SSD vs. Enterprise SSD)

58313 +xqlwv/#pq, FDJU#.64(#+*46ᇮ * 4:ᇮ, 433( Folhqw#VVG Hqwhusulvh#VVG

53313 ;3( Hqwhusulvh#VVG Folhqw#VVG 48313 93( 73( 43313 73( 65( 59( 54( 4<( 48( 48( 8313 53( 47( 47( 47(

313 3(

533; 533< 5343 5344 5345 533; 533< 5343 5344 5345 5346H 5347H 5348H 5349H 534:H 5346H 5347H 5348H 5349H 534:H

Source: Gartner, KTB Source: Gartner, KTB

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Ⅲ-2. SSD 시장 장 속도를 좌우는 것은 격

SSD는 반도체로 든 SSD Solid State Drive 혹은 Solid State Disk 약, NAND 혹은 DRAM 등 반도체를 대용량 저장 장치 장매체 사용하 대용량 장 장를 컫 말다.

HDD 속도 저 문제를 SSD HDD (Harddisk) 인해 생하 도 하 문를 해하기 위해 대으 해결기 위해 제시된 대안 장다. PC를 하고 있 장 중서 능 좌우하 핵적인 3 요 CPU, RAM, HDD다. 중 CPU와 RAM 작 도 빠르 향상되고 있 한 , HDD 작 도 향상은 느 행되었다. CPU나 RAM은 반도체 만어기 때문 고 작 능 하만 HDD Platter고 하 기디스크를 물적으 키기 때문 도 느릴 수 밖 다. PC 장 데 송 및 처 HDD 느린 처 도 PC 반적인 능 하를 불러으켰다. 를 해하기 위해 대으 것 SSD다.

Fig. 23 컴퓨터 구 요소 Fig. 24 CPU, Memory, HDD 처리 속도 발

575배 발전 FSX (중앙처리장치) 입력장치 제어 장치 출력장치 &38& (명령어 해석과 수행제어) 연산 장치 (산술 및 논리 연산 수행) '5$0

주기억 장치 (프로그램과 데이터 저장)

저장(Save) 로드(Load) 19배 발전 +'' 보조 기억 장치

Source: , KTB Source: Henge, KTB

SSD는 SSD 내부 1) PC와 SSD를 연해 인페스, 2) 데 장용 모 칩, 3) 인 인터페, 메모리 칩, 페스와 모 사 데 교환 어하 컨트롤러, 4) 부 장와 SSD 데 컨트롤러, 버퍼로 구 처 도 를 어 버퍼 되어 있다. 모 칩은 SSD 격 정한다 서, 컨트롤러 각각 NAND 체별 다 칩 부각 혹은 단점 보완함으 SSD 능 향상킨다 서 중요하다.

Fig. 25 HDD 및 SSD 구조 비교 Fig. 26 SSD 상세 구조

SSD Logic Components

플래터 Processor 헤더 Flash Demux /Mux Buffer Manager

Source: , KTB Source: , KTB

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속도 빠르고, SSD HDD 대비 은 장점 고 있다. SSD 기본적으 기디스크 아 모 안정 높으며, 데를 기록하기 때문 처 도 HDD 대비 등 빠르다. SSD 력 횟수 당 내구 강다는 것 장점 6,000번인 반 HDD 400번으 SSD 약 15배 정도 빠르다. 한 력 모 한 적다. SSD 력 모량은 2 & 5와트고, HDD 6 & 15와트다. 불어 물적으 움 기적인 장 기 때문 음 고, 충격도 하다 것도 장점다.

단점은 격 비싸다는 것 SSD 거 유한 단점은 격 비싸다 점다. 서 말듯 2013년 GB당 NAND 격은 비 적 매 기인 1.0달러 만인 약 0.9달러까 하할 것으 추정다. 러나 HDD 대비 SSD 격은 여 은 수인 것 사실다. SSD 격도 하하고 있만, HDD 격도 하하고 있기 때문다. 2013년 HDD GB당 격은 약 0.08달러, SSD HDD 대비 약 11배정도 비싼 것으 추정다.

IT brand 문 사서 비 꼽은 SSD 매 고 요인으 능 어 격 2번째 것 볼 수 있다. 만큼 비은 격 민감한 것다. 한 정 중요한 향 NAND cell 신경 쓰 다고 대답한 비 비중 약 40% 수 다 점도 를 반증한다.

Fig. 27 SSD vs. HDD 능 비교 Fig. 28 SSD 격은 HDD 격 대비 높은 것 단점

66'YV +'' <13 +'2JE, VVG KGG +᳚, ;3 ;13 VVG2KGG +❚⸿, 호출시간 314#pv 818;13#pv VVG⠂#Ḫ㎯#∷ᑮಪ#㞒◖#Ἂᨮ :13 8715 93 ⸆∶ I/O 성능 ⸆Ꭺ 913 9333#LR2v VVG⠂#∷ᑮಪ#KGGᶞᎎ#48᳚#Ἂᨮ 733#LR2v Idloxuh#udwh 안정성 Idloxuh#udwh 813 6314 73 318( VVGಪ#743᳚#ሼ⟶ 58( 713 5;17 58#zdwwv전력소모 948#zdwwv 613 4:15 4716 4(CPU 사용 :( 4417 53 513 <1; :19 914 71; 53#pvI/O 시간 733833#pv 413 백업시간 9#krxuv 5357#krxuv 313 3 VVGಪ#68᳚#Ἂᨮ 533; 533< 5343 5344 5345 5346 5347 5348 5349 534:

Source: , KTB Source: Gartner, KTB

Fig. 29 SSD를 선택할 때 고려 요인은? Fig. 30 SSD 구매 시 SLC/MLC/TLC 차 있는지?

⇛ፏ + LRSv , 69( 63( 73( ⎊൧#▚⩪#◴⟶ Frvw2JE 59( 74( 5:( Frvw2LRS 44( 44( ⇛ፏ⠞#ሼ⟪# 68( 3( ▚໚#ᅞถ⇛ <( VOF# ⇊㛢 6<( 49( ▚໚#㝉⋂ <( Ữ❓⠞#⢪ᣞ㘆 58( 㛢㜂⇛ 3( ;( POF# ⇊㛢 4:( ⾒㍢ᤎᢖ#⤯ᨂ 8( 7( ᅢᖆ#ㅪ⠯ 5( 4( 3( 5345 ໚ㅪ 5345 7( 6( ໚ㅪ 6( 5346 5346

Source: IT brand, KTB Source: IT brand, KTB

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TLC 경우를 살펴보면 TLC 기반 SSD 장 2012년 하반기부 빠 도 증하고 있다 것 해서도 SSD 수요 격 탄력 수요 격 탄력 다 사실 알 수 있다. NAND 상 TLC MLC 대비 높은 것으로 보임 단위당 단 30~40% 정도 낮만, 내 및 정 포함한 능 MLC 대비 나쁘다. 러나 2012년 4분기 컨트롤러 기술 해 TLC 기반 SSD 정 화켜 MLC 기반 SSD 대비 낮은 격 장 다. 러 SSD 수요 큰 장 를 현다. 한 TLC 기반 SSD 격은 약 100달러, MLC 기반 SSD 격은 약 110~120달러(128GB 기) 대비 약 10~20% 정도 싸다.

Fig. 31 Technology별 SSD 비중 (출량 기준) Fig. 32 Technology별 Client SSD 비중 (출량 기준)

VOF POF WOF VOF POF WOF 433( 433(

;3( ;3(

93( 93(

73( 73(

53( 53(

3( 3( 4T44 5T44 6T44 7T44 4T45 5T45 6T45 7T45 4T46 4T44 5T44 6T44 7T44 4T45 5T45 6T45 7T45 4T46

Source: Industry Data, KTB Source: Industry Data, KTB

Fig. 33 Technology별 Commercial SSD 비중 (출량 기준) Fig. 34 Technology별 Enterprise SSD 비중 (출량 기준)

VOF POF WOF VOF POF WOF 433( 433(

;3( ;3(

93( 93(

73( 73(

53( 53(

3( 3( 4T44 5T44 6T44 7T44 4T45 5T45 6T45 7T45 4T46 4T44 5T44 6T44 7T44 4T45 5T45 6T45 7T45 4T46

Source: Industry Data, KTB Source: Industry Data, KTB

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Ⅳ. 3D NAND 중화 시 SSD 수요 큰 폭 장 Ⅳ-1. 3D NAND 대중화 시 SSD 수요 장 능할 것으로 망

3D NAND 기술 대중화는 3D NAND 기술 대중화와 함 SSD 수요 큰 장 능할 것으 망한다. 3D NAND SSD 수요 장을 인할 망 기술 해 칩 대용량화 및 단위당 원 절감 능하다. 서 기 SSD 수요 확 장 애 요인었 대용량화 한 및 격 비싸다 문를 한 번 해할 수 있어 보인다.

8 6, 업 로 8 6 V-NAND 기술 적용한 (3Xnm급 MLC 24 인 것으 V-NAND (3D NAND) 양산 발 서 추정) 장 다. V-NAND 본격적으 되 경우 SSD 수요 큰 으 장할 것으 판단한다. 능, 력 모, 내 등 좋아 것은 물론 GB당 단를 크 감킬 수 있 것으 예상되기 때문다. 러나 V-NAND 여러 장점도 불하고 eMMC 수요를 대체하 데 다 요될 것으 은 망하고 있다. 대 상 트 체도 뿐 아니 모델수도 다하기 때문 각 별 Qual. 완료하 과정 복잡하기 때문다.

V-NAND는 Planar NAND 대비 내용 르 V-NAND Planar NAND (기 NAND) 대비 능 개선 (쓰기 ① 능 개선되었고 도 2배 개선 및 읽기 도도 개선)되었고, 비 력은 절반 하 었으, 신뢰도 10배 상 아졌다. V-NAND Planar 대비 좋은 유 적으 크기를 기술 아니기 때문 화 연적었 현상 생하 기 때문다.

② 단위당 도 절감 V-NAND 원 낮은 2 유 1) 수으 여있 수으 쌓아서 올기 때문 단위 적당 적할 수 있 숫 증해서 Net die 수 늘어나고, 2) 선 3Xnm대기 때문 단 비싸고, 생 떨어 EUV 장비 매 기 보유하고 있 장비 생 능하기 때문다. CVD 및 Etch 공정 수 증 비용 상승분은 있만 서 명한 2 요인으 인한 원 절감 향 크다.

③ 대용량화도 능 적 를 사용하기 때문 칩 대용량화 능해짐 SSD 대용량화도 능해 망다. 선 키 고 적하 단수를 늘 칩 밀도를 수 있다. 서 말듯 번 한 V-NAND 24인데 향후 72단 상까 수를 늘릴 고 있다. 1TB 칩도 생할 수 있 것으 예상다.

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Fig. 35 V-NAND 특은 Planar NAND 대비 뛰어나 Fig. 36 3D NAND Net die수는 Planar NAND 대비 많아

20nm Planar NAND 3Xnm V-NAND 713 +᳚,

2X Density #Exloglqj#57#od|huv#surylghv#wzlfh#wkh#ghqvlw| 613 Rqh#wlph#surjudpplqj#shhu#Zrug#Olqh 2X Write Speed 513 Gxh#wr#qr#lqwhuihuhqfh#ehwzhhq#Z2Ov

413 1/2 Power Consumption Ehfdxvh#ri#425#uhdg2zulwh#fxuuhqw

#Xqltxh#fkdujh#wuds#od|hu#vxssruwv 313 10X Endurance Sodqdu#QDQG 6G#QDQG# 6G#QDQG 43[#f|fohv#ri#surjudp#dqg#hudvh +54qp#POF,# +6[qp#POF, +6[qp#WOF,

Source: , KTB Source: KTB

Fig. 37 V-NAND 구조 Fig. 38 2017년, 1Tb 칩 산 능

7RWDOELOOLRQ &KDQQHO+ROHV

3 2

1 +ROHV 9HUWLFDO9LHZ +ROHV +ROHV

Source: , KTB Source: , KTB

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, 연어 8 14 V-NAND 기반 SSD (960GB 및 480GB 서버용 SM843T)도 V-NAND 기반 SSD 출시 개다. V-NAND와 SSD 장 스토 궤를 하고 있다 것 알 수 있 대다. Planar NAND 기반 SSD 대비 V-NAND 기반 SSD Planar NAND 기반 SSD 대비 능 좋고 력 모도 능 및 내구 뛰어 낮아다고 명다. 연쓰기 (Sequential Write) 도 Planar NAND SSD 대비 22% 향상 되었고, 임쓰기 (Random Write) 도 20% 향상되었다. 한 력 모 서 균 력 (Average Power)은 27%, 첨두 력 (Peak Power)은 45% 감다. 한 SLC 기반 SSD와 은 내 현도 능하고, 신뢰도 아졌다고 말다.

Fig. 39 SSD 능 및 력 소모 비교 (Planar NAND vs. V-NAND)

Less Real Estate

Sodqdu#QDQG#VVG Y0QDQG#VVG +;Fk/#;glhv2fk, +;Fk/#7glhv2fk,

3HUIRUPDQFH 3RZHU

22% 20% 27% 45% Faster Faster Lower Lower Higher Performance

Low Power Consumption Planar NAND based SSD V-NAND based SSD Planar NAND based SSD V-NAND based SSD Normalized(a.u) Vhtxhqwldo Udqgrp Dyhudjh Shdn Zulwh+PE2v, Zulwh+LRSV, Srzhu+pZ, Srzhu+pZ,

Source: , KTB

따라서 는 향후 V-NAND 기반 SSD 기반으 대규모 데 센와 기 서버 등 고능 터 터, 기업 서버 대용량 프엄 SSD 장 경쟁력 화할 임 밝혔다. PC SSD보다 Enter- 리 SSD 경쟁력 강화 prise SSD 장 중하 유 V-NAND 능 및 내 뛰어날 뿐 아니 대용량 화 한도 복할 수 있 기술기 때문다. 를 해 경쟁력 상대적으 낮은 Enter- prise SSD 경쟁력 화할 망다. (2012년 Enterprise SSD M/S 9% (3위), PC SSD M/S 35% (1위)다.) V-NAND 과 함 SSD 장은 현재 장사 기 예상 대비 2배~3배 큰 규모 장할 것으 예상하고 있다.

Fig. 40 는 3D NAND로 인해 SSD 시장 망치 2~3배 상 증할 것으로 추정 (QWHUSULVH66' 3&66'

Source: , KTB

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Ⅳ-2. 3D NAND 인?

1. 3D NAND 개념 및 개발 배경

3D NAND는 3D NAND Planar NAND서 수으 나되어 있 트스를 수으 적한 것다. 셀을 수직으로 적 구조, 비유해서 명하 Planar NAND 단독 택고, 3D NAND 아파트 개념다. 한 적서 단독 택보다 아파트 은 사람 수 있듯 3D NAND 한 웨퍼 Planar NAND 대비 적 위 Planar NAND 대비 은 수 적할 수 있기 때문 원 서 우위를 다. 싸고, 능 우수 것 올해 한 3D NAND 24으 향후 72까 적할 것으 예상되데 수 장점 수록 적되 수 증하기 때문 원 절감 커다. 한 선 서 비교적 유 3D NAND Planar NAND서 적으 생하 문를 해할 수 있기 때문 대 기술 각고 있다.

3D NAND는 반도체 산업 직면 3D NAND 개 배경 명하기 위해서 우선 현재 반도체 한점 대해서 공정 환 을 위해 개발 명할 요 있다. 모 공정 환 한를 드러내고 있다. 선 아수록 현상 생해 칩 능 하다. 와 은 적인 한 도 장비 로 선 소되며 련 인해 공정서도 문 생하고 있다. 모 경우 DRAM은 2Znm, 1) 간 현상에 따 능 저 및 NAND 1Ynm보다 한 선 패닝하기 위해서 EUV 장비 요하다. 러나 현재 2) 장비 발 ASML EUV 장비 개 연되고 있 뿐 아니 생 효율도 좋 은 것으 파악다.

EUV 체 기술은 13.5mm 패닝 능할 정도 다. 하만 학 렌즈 및 반사 거 화 어움 겪으 당 웨퍼 처량, 즉 스풋 현 떨어져 장비 활용하 못하고 있다. 현재 체은 패닝 여러 번 반복 (DPT, QPT)하거나 혹은 3D NAND, FInFET 등과 은 변경 해 EUV 장비 개 연 대처하고 있다. 올해 EUV 장비 처 도 당 약 30장 수인데, ASML은 를 2014년 70장, 2016년 125장 수 으 증킬 다. 당 100장 상 처해야 사용 능하다 점 감하 경우 야 2015년야 EUV 장비 도 능할 것으 망다.

장비 생다 것은 원 절감 문 생겼다 해석 능하다. 반도체 체은 선 여 단위 적당 적되 수를 증킴으 원 절감 해 왔다. (반도체 기술 대하 무나도 유명한, 단 적할 수 있 트스 수 18개마다 2배씩 증한다 법칙인 무어 법칙은 원 서 어 보 18개마다 원 절반으 어왔다 말다. ) 장비 련한 문 생하 경우 선 , 다 말해 공정 환 불능해 원를 절감할 수 다.

NAND 구조 단기 때문에 상기 문를 2원서 3원으 모 를 변경하여 해한 것 3D NAND다. 3D 3D 구조로 변경 능 NAND 능한 유 NAND 비교적 단순하기 때문다. 디램은 1개 트스와 1개 캐퍼 되어 있 한 , NAND 트스 1개 되어 있다.

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Fig. 41 3D NAND 개발 배경 및 구조

'࿞੍ါဒളရ ੍ါဓ኶࿒ᇘቺളရኁਘ 0#ಮ⇗#᳆ↇಮ⇗ ᳆ↇ '䮫 0#Ტ⇢#ඟ⢿#⢮㜂#♞ᣎ❪ '

Source: , KTB

Fig. 42 NAND 구조 변화 Fig. 43 셀 구조 비교 (planar NAND vs. 3D NAND)

Source: , KTB Source: , KTB

Fig. 44 어 Fig. 45 공정 개발 추

Source: , KTB Source: , KTB

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2. 3D 구조 및 개발 현황

2007년, 도시바 2007년 도바 BiCS (Bit Cost Scalable) 름으 반도체 학인 VLIS서 3D BiCS 개을 VLIS에 소개 NAND 컨셉 다. 2006년 3D 를 개하기 으나, 수으 적한 수으 쌓 스택 방식으 현재 NAND 체 개하고 있 3D 방식과 다.

NAND 업체 3D NAND: 도바 2007년 개한 BiCS를 P-BiCS (Pipe type-BiCS) 켰다. 도바 TCAT 한 BiCS 개념 활용해 TCAT (Terabit Cell Array Transistor)를 개고, 8 도시바 P-BiCS 공다. SK하닉스 기 floating gate 방식 3D FG를 개 SK SMArT 하고 있었으나, 2012년 12부 charge trap 방식 적용한 SMArT (Stacked Memory Array 크론 ? Transistor) 드맵 변경다. 마크론 3D NAND 장서 별 불우 름은 다.

Fig. 46 3D NAND 개발 History

Toshiba

Toshiba Samsung

Samsung Samsung

Source: Intuitive Cognition Consulting, KTB

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도시바는 GF, Planar NAND서 모든 체 Gate Last 를 채택하고 있다. 러나 3D NAND서 나지 업체은 GL 식 체별 각기 다 를 선택하고 있다. TCAT Gate를 나중 만드 Gate Last 고, 도바 P-BiCS Gate를 먼 만드 Gate First 다. Gate Last 공정 다 복잡하기 하만, 탈 한 오염서 유롭다 장점 있다. 반 Gate First 공정은 단순하만 Gate를 먼 형하 과정서 탈 오염 생한다 문점 있다. 3D NAND서 Gate 재료 텅스턴 등과 은 탈 사용하 데 오염 한 물기 때문 공정 기 행하 되 경우 수율 낮아다. 마크론과 SK하닉스도 Gate Last 방식 3D NAND를 개 중인 것으 파악다.

모든 NAND 업체 3D NAND서 모든 체 Charge trap 를 선택하고 있다. Planar NAND서 CTF 선택 만 Charge trap 적용고, 나머 체은 Floating gate를 사용하고 있다. Charge trap은 개한 방식으 Floating gate 대비 오작 능 낮아 정 뛰어나고, 단순해서 원 싸고, 수명 길다 장점 있다. 한 드인 disturb 해 NAND 컨트 롤러 단순해 수 있다 것 Charge trap 방식 다 장점다.

Fig. 47 업체별 3D NAND 구조

Source: Intuitive Cognition Consulting, KTB

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3. 3D NAND 제조 공정상

3D NAND 제조 공정은 Planar NAND와 비교하여 3D NAND 공정서 달 점은 다음과 은 2 요약 Planar NAND 제조 공정 대비 능하다. 첫째, 공정 상 를 하데 있어 한점 역할 하 고, 둘째, 증착 및 식각 공정 도 및 스텝수 크 증한다.

1) 장비 공정 수 감소되고 3D NAND 수으 적하 단 수를 늘림으 칩 용량 증킬 수 있기 때문 후 장비 용 능 선 추 키 아도 다. 3D NAND 3Xnm 정도 선 형할 수 있으 다 것다. 서 EUV 장비를 사용하 공정 수 어고, 후 장비를 대 사용 능 하기 때문 추 비 대한 부담 적다.

2) 식각 및 증착 공정, 3D NAND 24단 상 쌓아 올기 때문 증착 공정 스텝수 Planar 대비 2~3배 공정 난도 및 텝수 증 정도 증할 것으 예상다. 한 복잡하 식각되어 있 패턴나, 늘고 깊 파인 홀 아랫 부분까 골고 증착 해야 하기 때문 증착 공정 도도 증한다. 식각 공정 도 한 증할 것다. 3D NAND 적인 상 여러 으 쌓인 홀 형 해야 하데, 늘고 홀 형하 것은 상당 어렵다. 한 쌓인 파내야 하기 때문 식각 공정 스텝수도 증한다. AMAT 3D NAND 환 증착 장비 및 식각 장비 장규모 각각 50~60% 및 30~40% 커 것으 망하고 있다. Lam research도 유사한 수 장 장 예상하고 있다.

Fig. 48 Planar NAND에서 3D NAND로 환에 따 공정 변화

PLANAR 3D NAND

Source: AMAT, KTB

Fig. 49 AMAT 각는 3D NAND로 환에 따 공정 변화

Source: AMAT, KTB

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Fig. 50 Lam research 각는 3D NAND로 환에 따 공정 변화

Source: Lam research, KTB

Fig. 51 WW 증착 장비 M/S (2012년 기준) Fig. 52 WW Wet Etcher 장비 M/S (2012년)

DVP#Lqw1 Rwkhuv Rwkhuv <( :( Odp 47( Uhvhdufk Klwdfkl 5<( Klwdfkl DPDW 8( 44( 65( DPDW 45(

Wrn|r Odp Wrn|r Gdlqlssrq Hohfwurq Uhvhdufk Hohfwurq 4;( 55( 4:( 57(

Source: Gartner, KTB Source: Gartner, KTB

Fig. 53 WW Dry Etcher 장비 M/S Fig. 54 WW 반도체 장비업체

433 ^XVG` DVPO Odp#uhvhdufk DPDW Rwkhuv Odp <3 8( Uhvhdufk ;3 78( Klwdfkl :3 43( 93 DPDW 83 43( 73 63 Wrn|r 53 Hohfwurq 43 63( 3 34 35 36 37 38 39 3: 3; 3< 43 44 45 46

Source: Gartner, KTB Source: Bloomberg, KTB

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Fig. 55 3D NAND 구조 및 제조 공정

Source: , KTB

Fig. 56 도시바 3D NAND 구조 및 제조 공정

Source: , KTB

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4. 3D NAND 제조 공정상 변화에 따른 국내 수

내 장비업체 중 3D NAND planar NAND 대비 증착 및 식각 공정 도 증할 뿐만 아니 스텝수도 증 , IPS, 제트 하 다. 서 내 부 반도체 장비 수혜 예상다. 테스 (095610, N/R), 원익 IPS 수혜 상 (030530, N/R), 트 (053740, N/R) 등 여기 포함다.

Fig. 57 3D NAND 공정상 변화에 따 내 수혜 업체

종목(Code) 아이템 구분 투자포인트

SH0FYG/#Gu|#Hwfkhu/# 0#⎆ಪ⷇☋+<28,=#;55♟❺ 䯝Ⅶ⇛⢮⠺#Y0QDQG#㋖⠺ᤆ#SH0FYG#⋂㛆/#VN㘂⠞፳⍎#QDQG#㋖⠺ᤆ#Gu|#Hwfkhu#⋂㛆# ᇅຸ OS0FYG#ᖛ 0#85⦦#⸆⢪2⸆ඊ=#7/8;80

SH0FYG/#DPROHG/# 0#⎆ಪ⷇☋+<28,=#8/47;♟❺ 䯝Ⅶ⇛⢮⠺#⎆◲#Ჹ#D6ᠦ⠢#㋖⠺#᭒ᬂ㇪#ᶞ⟊ ྲ࿥,36 WJV#ᖛ 0#85⦦#⸆⢪2⸆ඊ=#7/4630:/:33❺ 䯝⎆◲ඟ⡏#4᎒൮#⡏Ữ#᪎⹆#4/6934/833♟❺#⚲Ⅻ1#7T46#733♟❺/#4T47♺#ᅂ᫢⩪#᪎⹆⠢⎇ 䯝6T46Ḫ㇚#⎎⢫ೆ⇊#ᶢ൓㛾ᓂ♞#ᅞᇮ#4T47#⸆Ꭺ#⎎⢫ ᎖⇛㘊#ഭ⟦ᤆ#⢮᪇

OS0FYG/#DOG/# 0#⎆ಪ⷇☋+<28,=#4/6:7♟❺ 䯝Ⅶ⇛⢮⠺#⎆◲ඟ⡏⠂#DOG#ⳮ❓#㛿Ꭺ♺#ᗚᠦ#ᒃ⅖#⋂㛆#⢮᪇ ੏လཞ಄ᇺ೗ ᳂⟻ᤆ#ᖛ 0#85⦦#⸆⢪2⸆ඊ=#

Fig. 58 매출 및 업 Fig. 59 IPS 매출 및 업

<3 +⎗♟❺, ᪎⹆☋ ⚫♯⠞⠟ ⚫♯⠞⠟ᨊ 48( 783 +⎗♟❺, ᪎⹆☋ ⚫♯⠞⠟ ⚫♯⠞⠟ᨊ 4;( ;3 43( 733 49( :3 8( 683 47( 93 3( 633 45( 83 583 43( 73 08( 533 ;( 63 043( 53 483 9( 048( 43 433 7( 053( 3 83 5( 533; 533< 5343 5344 5345 5346H 058( 043 3 3( 053 063( 533; 533< 5343 5344 5345 5346H

Source: Dataguide, KTB Source: Dataguide, KTB

Fig. 60 제트 매출 및 업 Fig. 61 NAND 비금 망

583 ᪎⹆☋ ⚫♯⠞⠟ ⚫♯⠞⠟ᨊ 53( +⎗♟❺, 45/333 +pq#XVG,

533 43/333 48( ;/333 483 43( 9/333 433 8( 7/333 83 5/333 3( 3 3 533; 533< 5343 5344 5345 5346H 5336 5338 533: 533< 5344 083 08( 5346H

Source: Dataguide, KTB Source: Industry data, KTB

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Ⅳ-3. 3D NAND 시장에 향을 치는 시기는 2015년 후

3D NAND, V-NAND 한 후 NAND 체은 다어 3D NAND 련 드 본격 양산 시점은 빠르면 ‘15년 맵 하고 있다. 를 해 판단해 보 3D NAND 2015년 후 대량 능할 것으 보인다. 다 말해 3D NAND SSD 수요 장 크 향 기 2015년 후 능 다. NAND 체별 3D NAND 드맵은 다음과 다. 장 기 상 각 체 3D NAND 대한 망, 고 비 정도서 은 다.

, 2014년 상반기부 중 팹서 V-NAND를 할 다. NAND 체 ‘14년 양산 시작 중서 3D NAND 대량 작하 것다. 중 팹 디인 캐파 100 기 캐파는 50K/ 내외 천장/ 2013년 연말 캐파 약 40~50천장/ 수인 것으 파악다. V-NAND 수율 정화되 경우 Ramp up 도 것으 망다.

도시바/샌디크, 근 도바/샌디스크 2014년 하반기 Fab5 extention인서 P-BiCS 작할 임 ‘14년 양산 시작 획 밝힘, 밝혔다. 기 도바/샌디스크 2015년 하반기부 P-BiCS를 할 었다 것 기존 획 대비 빠 시점에 양산 감하 기 당겨 것다. 도바 3D NAND 대해 대비 기술적인 신 감 보고 있다. 도바 Gen1 Net die 경쟁사 ( 추정됨) Gen3 Net die와 유사한 수 것으 추정하고 있다.

크론, 마크론은 16nm planar NAND 후 3D NAND 환 고하고 있다. 마크론 ‘16년 후 3D NAND 양산 시작 Planar NAND 2014년 상반기부 환할 예정다. 3분기 실적 를 해 2015년까 있 수으 3D NAND를 생할 다고 밝혔다. 두 사실 합해 보 마 크론 3D NAND 대량 은 2016년 후 작될 것으 판단한다.

SK, SK하닉스 2분기 실적 를 해 2013년 연말까 3D NAND 기술 개 완료한 후, ‘15년 양산 체 갖출 것임을 시 2015년 체를 갖 임 사다. 다만 서 SK하닉스 밝고 있 획보다는 다소 늦어질 듯 것보다 실 SK하닉스 3D NAND 기 다 늦 것고 망하고 있다.

Fig. 62 NAND 업체별 3D NAND 양산 로드맵

3ODQDU1$1' '1$1'

9HQGRU

QPQP

QP;QP

Source: Intuitive Cognition Consulting, KTB

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Fig. 63 3D NAND 로드맵 Fig. 64 도시바/샌디크 3D NAND 로드맵

Source: , KTB Source: , KTB

도시바/샌디크 Gen1은 경쟁 Gen3 제품 Fig. 65 Net die와 유할 것으로 망 Fig. 66 크론 3D NAND 로드맵

Source: , KTB Source: , KTB

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Ⅴ. 컨트롤러, SSD 경쟁력을 좌우하는 또 다른 축

컨트롤러, 컨트롤러 SSD를 하 중요한 부 중 하나 NAND 장되 데를 어하 역할 SSD 능을 결정는 중요 부품 하 반도체다. 컨트롤러 능 SSD 능 크 좌우되기 때문 컨트롤러 SSD 경쟁력 좌우하 중요한 요인 중 하나 볼 수 있다. 컨트롤러 요 기능은 1) 러를 수정해 ECC, 2) 수명 연장 위한 wear leveling, 3) 불량 섹를 보정해 bad block management, 4) 현상 문를 처해 signal processing다.

3D NAND 기반 SSD향 컨트롤러 SSD 사용되 NAND Planar NAND서 3D NAND 변경다 하도 SSD 컨트롤러 Planar NAND 기반 SSD향보다 변화 크 것으 보인다. 3D NAND 기반 SSD 쓰 컨트롤러 3D NAND 단해질 수도 있을 듯 신뢰도 좋아 버퍼 사즈 작아고, 프트웨어 단순화되 등 planar NAND 대비 단순해 능도 있다.

LSI, 인텔, SSD 컨트롤러 경쟁력 보도록 하겠다. 컨트롤러 NAND 체 접 생하기도 하고, 컨트롤러 경쟁력 우위 컨트롤러 문사 (반도체사) 생하기도 한다. NAND 체 중 , 도바, 인텔, SK하닉스 체 SSD 컨트롤러를 Captive 보유하고 있고, 마크론은 체 SSD 컨트롤러 를 생하 고 있다. 체 NAND 체 중서 와 인텔 SSD 컨트롤러 기술력 및 경쟁력 경쟁사 대비 뛰어 것으 사다. 컨트롤러만 생하 체 중서 LSI 우수한 것으 장은 하고 있다.

Fig. 67 SSD 컨트롤러 업체별 경쟁력 OVL Lqwho RF] Rwkhu Pduyhoo Wrvkled Mplfurq VdqGlvn VN#K|ql{ Vdpvxqj

Source: IT brand, KTB

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NAND 업체별 NAND 칩 체 중 컨트롤러 경쟁력 우위 뚜렷하다. 각 NAND 체 컨 컨트롤러 내재화 범위 및 경쟁력 트롤러 내재화 범위 및 경쟁력은 다음과 다.

, 우선 PC SSD 및 Enterprise SSD용 컨트롤러를 모두 captive 보유하고 있다. 트리플코어 컨트롤러 기술 TLC 기반 PC SSD 와 함 2012년 장점유율 빠르 확대킬 수 있었 것은 뛰어난 것으로 평받고 있으며, 컨트롤러 기술 경쟁력 체 대비 매우 하기 때문다. 은 유 올해 인텔부 PC 및 Enterprise SSD 컨트롤러 Enterprise SSD 장점유율 빼앗아 오고 있다. 컨트롤러 트 어 를 체 보유 다. 트 어 중 하나 읽기 용으, 다 하나 쓰기 용으, 나머 하나 적화 작 하기 때문 여러 명령 한 번 실행 능하다. SSD 수명 및 능 개 선다 장점 고 있다.

인텔, 인텔 (마크론과 적 를 해 NAND 칩 달)은 PC SSD용 컨트롤러 100% PC SSD 컨트롤러 량 외부 조달 부 달하고 있다. 한 Enterprise SSD용 컨트롤러 경우 부 체 생 사용하 한 Enterprise SSD는 부 체 제작 , Marvell과 LSI (Sandforce) 컨트롤러를 사용한다. 만큼은 아니만 인텔 컨트롤러 기 술도 뛰어 것으 되고 있다. 근 오버클럭 해 데 처량 한 , 력 사용량 한 풀어 력 모를 수 있 신규 컨트롤러를 개다.

도시바, 도바도 체 컨트롤러를 보유하고 있다. PC SSD용 컨트롤러, Enterprise SSD용 체 PC SSD 컨트롤러 보유 컨트롤러를 고 있 다. 러나 도바 체 컨트롤러 재 비중은 은 것으 Enterprise SSD 컨트롤로는 없음 파악되 물량 대부분 Marvell과 LSI (Sandforce)서 매해 오고 있다.

SK, SK하닉스 2012년 6 컨트롤러 사인 LAMD를 인수하 SSD 컨트롤러 경쟁력 SSD 컨트롤러 인 LAMD 화하고 있다. 어 2013년 4 체 컨트롤러 칩셋 개 공고, 6 체 컨트롤 인수여 경쟁력 강화 중 러를 재한 SSD 신규 다.

Fig. 68 SSD 제조 업체별 supply chain

Company Controller NAND Interface

Vdpvxqj Fdswlyh Fdswlyh VDWD/#SFLh Wrvkled Fdswlyh/#OVL/#PUYO Fdswlyh VDWD/#SFLh Lqwho OVL/#PUYO Fdswlyh VDWD Plf urq PUYO Fdswlyh VDWD VdqGlvn Fdswlyh/#OVL/#PUYO Fdswlyh VDWD/#SFLh PC SSD RF]#Whfkqrorj|#Jurxs Fdswlyh/#OVL WVE/#PX VDWD Olwh0Rq PUYO WVE VDWD Nlqjvwrq#Gljlwdo OVL/#Mplfurq WVE/#PX VDWD Fruvdlu OVL/#ODPG PX VDWD Dsdfhu OVL/#Mplfurq/#Sklvrq WVE/#PX VDWD/#SDWD/#LGH VNK|ql{ OVL/#Fdslwyh Fdswlyh VDWD

Lqwho Fdswlyh/#OVL/#PUYO Fdswlyh VDWD Ixvlrq0lr [lolq{ PX/#WVE/#Vdpvxqj SFLh Vdpvxqj Fdswlyh Fdswlyh VDWD/#VDV/#dqg#qrz#SFLh Jrrjoh [lolq{ WVE SFLh/#VDWD Zhvwhuq#Gljlwdo#+Zlwk#Lqwho, Fdswlyh Lqwho VDV/#IF Enterprise SSD QhwDss [lolq{ Vdpvxqj SFLh VWHF Fdswlyh VWE VDWD/#VDV/#IF/#SFLh VdqGlvn Fdswlyh Fdswlyh VDWD/#VDV/#SFLh Vpduw#Vwrudjh Fdswlyh WVE VDWD/#VDV RF]#Whfkqrorj|#Jurxs Lqglolq{/#OVL/#PUYO WVE/#PX VDWD/#VDV/#SFLh

Source: Gartner, KTB

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Fig. 69 PC SSD 컨트롤러 M/S (2012년 기준) Fig. 70 Enterprise SSD 컨트롤러 M/S (2012년 기준)

Wrvkled +Sduwldo OVL2VdqgIrufh Rwkhu Pduyhoo 56( Fdswlyh, 8( 6;( 46( Rwkhu 6( RF] Pduyhoo 9( 4<( Vdpvxqj 43(

Vdpvxqj OVL 53( +Fdswlyh, VWHF 68( 45( [lolq{ 49(

Source: Gartner, KTB Source: Gartner, KTB

Fig. 71 Card, USB 컨트롤러 M/S (2012년 기준) Fig. 72 eMMC 컨트롤러 M/S (2012년 기준)

6V/#4( Rwkhuv/ 47( Rwkhuv/43( Vdpvxqj/ LWH/#5( Vlolfrq Prwlrq/ Sklvrq/#3( 68( Lqfrpp/ 58( Dofru 6( Vlolfrq Plfur/#6( Prwlrq/ 45( Vdpvxqj/ 8( Vn|phgl/ :( Wrvkled/ VdqGlvn/54( VdqGlvn/ Wrvkled/ 49( 56( :( Sklvrq/49(

Source: Gartner, KTB Source: Gartner, KTB

Fig. 73 컨트롤러 시장 규모 망 Fig. 74 단위당 컨트롤러 격 망

4/;33 +pq#XVG, ###Hqwhusulvh0Judgh#VVG#Iodvk#Frqwuroohu 9313 +XVG, Eohqghg#DVS +XVG, 613 ###Pdlqvwuhdp#SF#VVG#Frqwuroohu Pdlqvwuhdp#SF#VVG#+UKV, 4/933 Hqwhusulvh0Judgh#VVG#+UKV, ###Hqwu|0ohyho#SF#VVG#Frqwuroohu# 8313 518 4/733 Frpprglw|#iodvk ###Frpprglw|#iodvk#Frqwuroohu Hqwu|0ohyho#SF#VVG 4/533 7313 513 4/333 6313 418 ;33 933 5313 413 733 4313 318 533 3 313 313

533; 533< 5343 5344 533; 533< 5343 5344 5345 5346H 5347H 5348H 5349H 5345 5346H 5347H 5348H 5349H

Source: Gartner, KTB Source: Gartner, KTB

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Ⅵ. SSD 시장 경쟁 구도

SSD 시장은 SSD 장은 장 형 단 보고 있다. 약 60개 상 SSD 체 있다. 60개 상 제조업체 난립 러나 몇 개 체를 하고 규모 큰 체 다수 규모 작은 체 경쟁하고 있다.

, 인텔 2강 SSD 경쟁도 2 2중으 요약 능하다. , 인텔 2 고 있고, PC SSD 및 도시바, Fusion-io 2중 Enterprise SSD 장서 각각 두각 나내고 있 도바와 Fusion-io 2중다. 를 마 크론, 샌디크 그 다음 크론과 샌디스크 고 있다. 와 인텔, SSD 장 경쟁력 우수한 사 모두 NAND 달 유롭고 컨트롤러 경쟁력 한 체다. 와 인텔 하 경우 PC SSD와 Enterprise SSD 장 모두서 장점유율 은 체 다.

PC SSD 강는 PC SSD 장점유율 은 체 , 인텔, 도바, 마크론과 NAND 칩 하 NAND 칩을 captive로 체다. , 인텔, 도바, 마크론 4개사 합 기 2012년 PC SSD 장점유율은 지고 있는 칩 업체 70%다. PC SSD 장은 정보다 격 경쟁력 욱 중요한 요인기 때문인 것으 (∵ 격 중요 결정 요인) 추정다. SSD 원 중 NAND 칩 비중 약 80% 정도를 한다. OCZ PC SSD 장 서 비 좋은 를 고 있었으나, Sandforce 컨트롤러 문 2012년 장점 유율 큰 하다.

Enterprise SSD 경쟁우위 요소는 Enterprise SSD 은 PC SSD 대비 정 및 신뢰도 아야 한다. 서 NAND 칩 정 컨트롤러 및 소트웨어 만큼나 컨트롤러 및 프트웨어 경쟁력도 중요하다 뜻다. 래서 , 인텔 (∵ 내구 및 안정 중요) 하 PC SSD 장 경쟁력 은 체 Enterprise SSD 장서도 경쟁 우위를 보 경우 다.

Fig. 75 업체별 PC SSD vs. Enterprise SSD M/S (2012년)

53( Intel

Fusion-IO 48((

43( Samsung Google 8(( WD/Intel Hqwhusulvh#VVG#Pdunhw#Vkduh STEC SanDisk Smart OZC Lite-On MicronM Toshiba 8( 43( 48(48( 53( 58( 63( 68( SF#VVG#Pdunhw#Vkduh

Source: Gartner, KTB

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Fig. 76 업체별 SSD M/S (2012년) Fig. 77 업체별 PC SSD M/S (2011년 및 2012년)

58( 5344 5345 73( 5344 5345 68( 53( 63(

48( 58( 53( 43( 48(

8( 43( 8( 3( 3( Lqwho RF] Lqwho RF] VWHF Vpduw Rwkhuv Plfurq Dsdfhu Jrrjoh QhwDss Plfurq Rwkhuv Wrvkled Zhvwhuq Wrvkled Fruvdlu Dsdfhu VdqGlvn Olwh0Rq Nlqjvwrq VdqGlvn Olwh0Rq Vdpvxqj Nlqjvwrq Vdpvxqj Ixvlrq0lr

: Gartner, KTB : Gartner, KTB

Fig. 78 업체별 Enterprise SSD M/S (2011년 및 2012년) Fig. 79 업체별 SSD M/S 추

58( 5344 5345 Vdpvxqj Lqwho Wrvkled VWHF Rwkhuv 433( 53(

;3( 48(

43( 93(

8( 73(

3( 53( Lqwho RF] VWHF Vpduw Rwkhuv

Jrrjoh 3( QhwDss Zhvwhuq VdqGlvn

Vdpvxqj 533: 533; 533< 5343 5344 5345 Ixvlrq0lr

: Gartner, KTB : Gartner, KTB

Fig. 80 업체별 PC SSD M/S 추 Fig. 81 업체별 Enterprise SSD M/S 추

Vdpvxqj Wrvkled Lqwho Plfurq Rwkhuv Lqwho Ixvlrq0lr Vdpvxqj VWHF Rwkhuv 433( 433(

;3( ;3(

93( 93(

73( 73(

53( 53(

3( 3( 533< 5343 5344 5345 533< 5343 5344 5345

: Gartner, KTB : Gartner, KTB

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Ⅶ. 목 투자견

목 투자견 목표주가(원) 삼성전자 (005930) BUY 1,900,000 SK하이닉스 (000660) BUY 41,000

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삼전자 (005930) 꿩 먹고 알 먹고

BUY Issue 8 6 V-NAND (3D NAND) 장 함

현재 직 변동 BUY 유지 Pitch 1,900,000 유지 V-NAND 으 SSD 수요 장은 현재 장 기대를 상할 것으 망. Earnings 유지 사 V-NAND 기반 SSD 으 상대적으 경쟁력 약한 Enteprise SSD 장

Stock Information 배력 확대를 하고 있음. 향후 SSD 장 경쟁력 화될 것으 망. 대해 견 BUY, 190만원 유 현재(9/5) 1,365,000 상 상승률 39.2% 시총 2,010,636억 Rationale 비중(KOSPI내) 17.62% - 8 6 V-NAND 장 개. V-NAND Planar 발행식수 147,299천 NAND 대비 능 개선 (쓰기 도 2배 개선 및 읽기 도도 개선)되었고, 비 력은 52 저/고 1,196,000-1,576,000 절반 하 었으, 신뢰도 10배 상 아짐 3개 평균거래대금 3,828억 외인 지분율 48.1% - 3D NAND서 경쟁 우위를 확보하고 있 것으 판단됨. 요지분율(%) 건희외 10인 17.7 한 것 어, 2014년 상반기를 V-NAND 대량 중임. 민연금공단 7.4 경쟁사 대비 6개서 2년 상 빠 기 작하 것임

- SSD 능 좌우하 다 부인 컨트롤러 경쟁력도 뛰어남. PC Valuation wide SSD 및 Enterprise SSD용 컨트롤러를 모두 체 생해서 사용하고 있음. 트 2012 2013E 2014E 어 를 적용한 체 컨트롤러 능 우하다 를 고 있음 PER 9.7 6.4 6.1 PBR 2.3 1.6 1.3 - SSD 장점유율 1위 체. Enterprise SSD 경쟁력 (M/S 9% 3위 체, EV/EBITDA 4.9 3.1 2.4 배당수률 0.5 0.6 0.7 2012년 기)은 PC SSD 경쟁력 (M/S 35% 1위 체, 2012년 기) 대비 약함. V-NAND Planar NAND 대비 능 및 원서 뛰어나기 때문 V-NAND 기반 SSD 해 Enterprise SSD 장 경쟁력 화하 은 유효할 것으 판단 Performance 1M 6M 12M YTD 상승률 7.1 (11.9) 14.8 (10.3)

KOSPI대비 상대수률(%) 5.3 (8.7) 10.7 (8.0) Earnings Forecasts (단위: 십억,,%,배) 2011 2012 2013E 2014E 2015E 2016E 2017E Price Trend 매출 165,002 201,104 234,039 251,658 276,274 297,824 320,160 4/;33/333 463 업 15,644 29,049 38,893 40,638 44,552 46,012 47,244 4/933/333 453 EBITDA 29,236 44,671 57,966 64,258 71,470 77,213 81,565 4/733/333 443 13,759 23,845 32,576 34,027 37,290 38,702 39,896 4/533/333 산총 155,800 181,072 221,657 257,914 297,486 334,762 375,228 4/333/333 433 본총 101,314 121,480 156,363 189,811 226,388 263,550 301,232 ;33/333 <3 933/333 차입금 (12,231) (22,553) (43,608) (70,199) (99,883) (135,404) (167,818) ;3 733/333 매출증율 6.7 21.9 16.4 7.5 9.8 7.8 7.5 533/333 :3 업률 9.5 14.4 16.6 16.1 16.1 15.4 14.8 3 93 률 8.3 11.9 13.9 13.5 13.5 13.0 12.5 451< 45145 4616 4619 EPS증율 (15.3) 73.2 36.9 4.4 9.6 3.8 3.1 ⦦ಪ+⤶/❺, NRVSL ⩪⋂ᎪỮ+❚/#s, ROE 15.1 22.3 24.4 20.5 18.7 16.4 14.6 Note: K-IFRS / Source: FnGuide, KTB 30 Page In-Depth ◀▶ 반도

재무제표 () ◈ 차조표 ◈ 손익계서 (단위:십억원) 2011 2012 2013E 2014E 2015E (단위:십억원) 2011 2012 2013E 2014E 2015E 71,502 87,269 118,542 150,211 185,816 165,002 201,104 234,039 251,658 276,274 금 26,878 37,448 55,412 81,895 111,060 증가 (Y-Y,%) 6.7 21.9 16.4 7.5 9.8 권 24,153 26,675 31,955 34,461 37,605 영업 15,644 29,049 38,893 40,638 44,552 고 15,717 17,747 22,668 25,178 28,300 증가 (Y-Y,%) (9.6) 85.7 33.9 4.5 9.6 84,298 93,803 103,115 107,703 111,670 EBITDA 29,236 44,671 57,966 64,258 71,470 18,899 21,588 24,818 25,826 26,875 영업외손 1,548 866 1,383 1,713 1,948 형 62,044 68,485 74,262 77,890 80,846 순 62 246 657 791 914 형 3,355 3,730 4,034 3,987 3,949 외화관련손 (665) (144) (73) (200) (200) 총계 155,800 181,072 221,657 257,914 297,486 지분법손 1,399 987 961 1,122 1,235 44,319 46,933 54,066 56,702 59,924 세계속사업손 17,192 29,915 40,276 42,351 46,501 입 18,509 16,889 21,651 24,049 27,031 기순 13,759 23,845 32,576 34,027 37,290 9,684 9,443 8,607 8,607 8,607 지기업기순 13,383 23,185 31,749 33,159 36,339 10,168 12,658 11,228 11,402 11,174 증가 (Y-Y,%) (14.8) 73.3 36.6 4.5 9.6 4,963 5,452 3,197 3,089 2,569 NOPLAT 12,520 23,155 31,457 32,650 35,728 총계 54,487 59,591 65,294 68,103 71,098 (+) Dep 13,592 15,622 19,074 23,620 26,918 금 898 898 898 898 898 (-) 운 1,458 2,341 5,341 2,550 3,218 잉여금 4,404 4,404 4,404 4,404 4,404 (-) Capex 21,966 22,965 23,288 26,356 28,992 잉여금 97,623 119,986 151,166 183,744 219,331 OpFCF 2,689 13,471 21,901 27,364 30,436 정 (5,834) (8,193) (6,996) (6,996) (6,996) 3 Yr CAGR & Margins 기주식 (7,540) (7,351) (7,340) (7,340) (7,340) 증가(3Yr) 10.8 13.1 14.8 15.1 11.2 총계 101,314 121,480 156,363 189,811 226,388 영업증가(3Yr) 37.4 35.9 31.0 37.5 15.3 76,655 84,912 96,714 102,920 109,134 EBITDA증가(3Yr) 21.9 25.2 26.4 30.0 17.0 순차입금 (12,231) (22,553) (43,608) (70,199) (99,883) 순증가(3Yr) 32.7 32.6 26.4 35.2 16.1 ROA 9.5 14.2 16.2 14.2 13.4 영업률(%) 9.5 14.4 16.6 16.1 16.1 ROE 15.1 22.3 24.4 20.5 18.7 EBITDA마진(%) 17.7 22.2 24.8 25.5 25.9 ROIC 17.5 28.7 34.6 32.7 33.7 순률 (%) 8.3 11.9 13.9 13.5 13.5

◈ 현금흐름표 ◈ 주요투자지표

(단위:십억원) 2011 2012 2013E 2014E 2015E (단위:원,배) 2011 2012 2013E 2014E 2015E 영업금 22,918 37,973 47,063 55,125 61,038 Per share Data 기순 13,759 23,845 32,576 34,027 37,290 EPS 90,853 157,403 214,210 223,548 244,827 각 13,592 15,622 19,074 23,620 26,918 BPS 550,953 666,329 854,846 1,046,612 1,256,005 운증감 (4,057) (5,778) (7,745) (2,550) (3,218) DPS 5,500 8,000 8,500 10,000 12,000 권감소(증가) (2,197) (2,568) (4,729) (2,505) (3,145) Multiples(x,%) 고감소(증가) (3,920) (4,012) (4,686) (2,511) (3,122) PER 11.6 9.7 6.4 6.1 5.6 입증가(감소) 1,126 (882) 2,771 2,398 2,982 PBR 1.9 2.3 1.6 1.3 1.1 금 (21,113) (31,322) (33,020) (28,120) (30,726) EV/EBITDA 5.4 4.9 3.1 2.4 1.7 단기감소 594 (6,555) (6,584) (1,034) (1,076) 0.5 0.5 0.6 0.7 0.9 장기증권감소 (5) (764) (832) 471 557 PCR 6.0 5.6 4.2 4.0 3.6 설 (21,966) (22,965) (23,288) (26,356) (28,992) PSR 1.1 1.3 1.0 0.9 0.8 형감소 (274) 55 (858) (844) (844) (%) 금 3,110 (1,865) (3,257) (1,557) (2,224) 53.8 49.1 41.8 35.9 31.4 차입금증가 3,758 539 (3,242) (108) (520) Net debt/Equity n/a n/a n/a n/a n/a 증가 (714) (1,177) (79) (1,448) (1,704) Net debt/EBITDA n/a n/a n/a n/a n/a 금지급 875 1,265 89 1,448 1,704 161.3 185.9 219.3 264.9 310.1 금 증감 4,900 4,100 11,151 25,449 28,088 n/a n/a n/a n/a n/a 총금흐름(Gross CF) 30,210 46,605 55,170 57,675 64,256 / 0.4 0.3 0.2 0.2 0.2 (-) 운증가(감소) 1,458 2,341 5,341 2,550 3,218 (-) 설 21,966 22,965 23,288 26,356 28,992 (%) 62.6 59.0 54.7 48.9 44.2 (+) 각 (274) 55 (858) (844) (844) 금+(%) 37.4 41.0 45.3 51.1 55.8 Free Cash Flow 6,512 21,353 25,683 27,925 31,202 (-) 기타 5 764 832 (471) (557) 차입금(%) 12.6 10.9 7.0 5.8 4.7 잉여금 6,507 20,589 24,851 28,396 31,759 기(%) 87.4 89.1 93.0 94.2 95.3

Note: K-IFRS Source: KTB

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SK하닉스 (000660) Step by step…

BUY Issue 8 6 V-NAND (3D NAND) 장 함. V-NAND 련 및 SK하닉스 향 알아보고 함 현재 직 변동 BUY 유지 Pitch 41,000 유지 V-NAND 으 SSD 수요 장은 현재 장 기대를 상할 것으 망. Earnings 유지 사 3D NAND 기술력은 경쟁사 대비 약한 것으 됨. SSD 경쟁력도 위 Stock Information 있음. 러나 2012년 1) SMArT 3D NAND 개 작고, 2) LAMD 인수를 현재(9/5) 28,150 해 컨트롤러 기술 내재화 하 SSD 경쟁력 고 력 기고 있음. NAND 상 상승률 45.6% 및 SSD 장 경쟁력은 금씩 개선되고 있음. 견 BUY, 4.1만원 유 시총 199,922억 비중(KOSPI내) 1.75% 발행식수 710,201천 Rationale 52 저/고 20,900 - 32,650 3개 평균거래대금 1,709억 - V-NAND planar NAND 대비 ① 능 개선, ② 단위당 원 절감, ③ 대용량화 능 외인 지분율 33.7% 하다 장점 보유. 서 격 비싸고, 대용량화 한 있다 SSD 약점 보완할 요지분율(%) 수 있 기술인 것으 보임 에케텔레콤() 20.6 민연금공단 9.4 - 사 SMArT (Stacked Memory Array Transistor) 3D NAND 개 중임. 2013년 연말까 3D NAND 기술 개 완료한 후, 2015년 체를 갖 임 사. 은 NAND 선 체인 및 도바/샌디스크 대비 1년 6개 정도 Valuation wide 늦은 점 작될 것으 추정됨 2012 2013E 2014E PER - 6.1 6.6 - 2012년 6 SSD 컨트롤러 사인 LAMD를 인수하여 컨트롤러를 내재화함. 2013년 PBR 2.0 1.7 1.3 EV/EBITDA 7.6 3.1 2.4 상반기 체 컨트롤러를 재한 SSD를 장 하여 경쟁력 화 힘쓰고 있 배당수률 0.0 0.0 0.0 것으 보임

- 다만 SSD 장 경쟁력은 아까 위인 것으 파악됨. 2012년 기으 SSD 장점유율은 10위권 내 어 못하고 있음. 러나 칩과 컨트롤러를 모두 내재화 Performance 하고 있다 것 장점으 작용하 경쟁력 화될 것으 망 1M 6M 12M YTD 상승률 2.7 4.3 32.8 9.3

KOSPI대비 상대수률(%) 0.9 7.5 28.6 11.6 Earnings Forecasts (단위: 십억,,%,배) 2011 2012 2013E 2014E 2015E 2016E 2017E Price Trend 매출 10,396 10,162 15,084 16,028 16,144 18,513 18,853 68/333 493 업 369 (227) 3,678 3,752 2,709 3,564 3,868 483 63/333 EBITDA 3,836 2,976 6,973 7,796 7,976 7,978 8,420 473 (56) (159) 3,183 3,066 2,227 3,016 3,342 58/333 463 산총 17,238 18,649 21,867 24,093 25,341 26,926 28,739 53/333 453 443 본총 7,875 9,739 13,142 16,208 18,518 21,534 24,876 48/333 433 차입금 4,941 4,704 1,429 (1,071) (3,810) (6,761) (9,905) <3 43/333 매출증율 (14.1) (2.2) 48.4 6.3 0.7 14.7 1.8 ;3 8/333 :3 업률 3.6 (2.2) 24.4 23.4 16.8 19.3 20.5 3 93 률 (0.5) (1.6) 21.1 19.1 13.8 16.3 17.7 451< 45145 4616 4619 EPS증율 적 적지 흑(6.2) (27.4) 32.3 10.8 ⦦ಪ+⤶/❺, NRVSL ⩪⋂ᎪỮ+❚/#s, ROE (0.7) (1.8) 27.8 20.9 12.8 15.1 14.4 Note: K-IFRS / Source: FnGuide, KTB 32 Page In-Depth ◀▶ 반도

재무제표 (SK) ◈ 차조표 ◈ 손익계서 (단위:십억원) 2011 2012 2013E 2014E 2015E (단위:십억원) 2011 2012 2013E 2014E 2015E 4,936.9 5,313.6 8,633.5 10,191.8 11,892.2 10,395.8 10,162.2 15,084.1 16,028.4 16,144.0 금 1,882.2 1,786.4 4,103.0 5,722.0 7,295.9 증가 (Y-Y,%) (14.1) (2.2) 48.4 6.3 0.7 권 1,645.3 1,831.5 2,778.8 2,738.8 2,818.5 영업 369.1 (227.3) 3,678.4 3,752.1 2,709.2 고 1,183.6 1,509.3 1,563.5 1,541.0 1,585.9 증가 (Y-Y,%) (88.7) 2.0 (27.8) 12,301.3 13,335.1 13,233.8 13,901.6 13,448.3 EBITDA 3,836.0 2,976.2 6,973.4 7,796.2 7,975.9 694.3 765.3 836.1 870.1 905.4 영업외손 (323.9) 28.0 (256.5) (144.7) (88.7) 형 10,899.3 11,586.2 11,295.8 11,830.8 11,257.1 순 (253.9) (237.6) (196.0) (136.5) (78.7) 형 707.6 983.6 1,101.9 1,200.8 1,285.8 외화관련손 (19.1) 263.5 (24.2) (8.2) 0.0 총계 17,238.1 18,648.7 21,867.3 24,093.5 25,340.5 지분법손 2.8 16.7 14.5 14.5 14.5 4,817.3 4,441.2 4,299.0 4,283.4 4,325.7 세계속사업손 45.1 (199.3) 3,421.8 3,607.4 2,620.5 입 1,541.0 1,335.1 1,340.2 1,320.9 1,359.3 기순 (56.0) (158.8) 3,182.9 3,066.2 2,227.4 2,869.1 2,736.2 2,585.3 2,585.3 2,585.3 지기업기순 (56.6) (158.9) 3,179.4 3,062.7 2,224.9 4,545.6 4,468.1 4,426.1 3,601.6 2,496.6 증가 (Y-Y,%) 지 (3.7) (27.4) 3,953.8 3,754.4 2,947.0 2,065.4 901.0 NOPLAT (457.6) (164.8) 3,421.6 3,189.3 2,302.8 총계 9,362.9 8,909.3 8,725.1 7,885.1 6,822.2 (+) Dep 3,466.9 3,203.6 3,295.0 4,044.1 5,266.7 금 2,978.5 3,488.4 3,582.9 3,582.9 3,665.3 (-) 운 728.7 715.7 994.6 (45.1) 84.3 잉여금 1,229.1 3,053.9 3,054.1 3,054.1 3,054.1 (-) Capex 3,568.2 3,772.9 2,847.5 4,400.0 4,500.0 잉여금 3,555.3 3,313.3 6,496.1 9,562.3 11,789.8 OpFCF (1,287.6) (1,449.8) 2,874.5 2,878.5 2,985.2 정 112.9 (115.4) 9.6 9.6 9.6 3 Yr CAGR & Margins 기주식 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 증가(3Yr) 15.1 8.7 7.6 15.5 16.7 총계 7,875.3 9,739.4 13,142.2 16,208.5 18,518.3 영업증가(3Yr) n/a n/a 4.0 116.6 n/a 12,664.9 14,295.2 14,401.4 14,960.2 14,524.6 EBITDA증가(3Yr) 56.2 (0.1) 4.6 26.7 38.9 순차입금 4,940.8 4,704.2 1,429.3 (1,071.3) (3,809.6) 순증가(3Yr) n/a n/a 6.2 n/a n/a ROA (0.3) (0.9) 15.7 13.3 9.0 영업률(%) 3.6 (2.2) 24.4 23.4 16.8 ROE (0.7) (1.8) 27.8 20.9 12.8 EBITDA마진(%) 36.9 29.3 46.2 48.6 49.4 ROIC (3.7) (1.2) 23.8 21.7 15.6 순률 (%) (0.5) (1.6) 21.1 19.1 13.8

◈ 현금흐름표 ◈ 주요투자지표

(단위:십억원) 2011 2012 2013E 2014E 2015E (단위:원,배) 2011 2012 2013E 2014E 2015E 영업금 2,856.0 2,211.7 5,853.2 6,399.4 6,089.2 Per share Data 기순 45.1 (199.3) 3,212.4 3,066.2 2,227.4 EPS (96) (234) 4,580 4,295 3,120 각 3,466.9 3,203.6 3,295.0 4,044.1 5,266.7 BPS 12,105 12,615 16,886 21,048 23,622 운증감 (812.5) (761.8) (1,107.8) 45.1 (84.3) DPS 0 0 0 0 0 권감소(증가) 137.6 (322.1) (815.2) 40.0 (79.7) Multiples(x,%) 고감소(증가) 99.7 (335.6) (43.0) 22.5 (44.9) PER n/a n/a 6.1 6.6 9.0 입증가(감소) (230.4) (0.4) 200.6 (19.3) 38.5 PBR 1.8 2.0 1.7 1.3 1.2 금 (3,389.3) (4,698.4) (3,314.8) (4,697.5) (4,798.9) EV/EBITDA 4.7 7.6 3.1 2.4 2.0 단기감소 318.5 (497.2) (83.8) 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 장기증권감소 (7.9) 7.6 5.1 7.6 7.3 PCR 3.3 5.5 2.8 3.2 3.3 설 (3,568.2) (3,772.9) (2,847.5) (4,400.0) (4,500.0) PSR 1.2 1.7 1.3 1.3 1.2 형감소 (147.8) (122.0) (268.3) (278.1) (278.1) (%) 금 519.1 1,917.1 (343.3) (82.8) 283.6 118.9 91.5 66.4 48.6 36.8 차입금증가 607.9 (411.5) (82.2) (82.8) 201.2 Net debt/Equity 62.7 48.3 10.9 n/a n/a 증가 (88.5) 2,328.8 94.5 0.0 82.4 Net debt/EBITDA 128.8 158.1 20.5 n/a n/a 금지급 88.5 0.0 0.0 0.0 0.0 102.5 119.6 200.8 237.9 274.9 금 증감 (9.4) (585.4) 2,201.5 1,619.0 1,573.9 1.5 n/a 18.8 27.5 34.4 총금흐름(Gross CF) 3,892.3 3,182.7 7,005.3 6,354.3 6,173.4 / 3.0 3.1 1.8 1.6 1.3 (-) 운증가(감소) 728.7 715.7 994.6 (45.1) 84.3 (-) 설 3,568.2 3,772.9 2,847.5 4,400.0 4,500.0 (%) 83.1 84.9 74.5 69.4 63.9 (+) 각 (147.8) (122.0) (268.3) (278.1) (278.1) 금+(%) 16.9 15.1 25.5 30.6 36.1 Free Cash Flow (552.4) (1,427.9) 2,894.9 1,721.3 1,311.1 (-) 기타 7.9 (7.6) (5.1) (7.6) (7.3) 차입금(%) 46.4 40.0 29.6 22.3 15.8 잉여금 (560.3) (1,420.3) 2,900.0 1,728.9 1,318.4 기(%) 53.6 60.0 70.4 77.7 84.2

Note: K-IFRS Source: ktb

33 Page In-Depth ◀▶ 반도

>> Compliance Notice

제 3에게 제공한 실 없습니다. 작일 현재 에서 추천한 종목의 지분을 1% 상 보유고 있지 않습니다. 의 조분석담 작일 현재 에서 추천한 종목과 련된 재산적 해계 없습니다. 의 조분석담 어떠한 외부 압력나 간섭 없 인의 의견을 정확게 반영여 작였습니다. 동 종목에 대해 작일 유 발행(DR, CB, IPO, 시장조 )과 련여 지난6개월 주간로 참여지 않았습니다.

>> 목추천관련 투자등급

아래 종목의견은 향후 12개월간 추천일 종대비 추천종목의 예상 목표수익률을 의미함. ㆍSTRONG BUY : 추천일 종대비 +50%상. ㆍHOLD: 추천일 종대비 +5%상∼ +15%미만. ㆍBUY: 추천일 종대비 +15%상~+50%미만. ㆍREDUCE: 추천일 종대비 +5%미만. ㆍSUSPENDED: 업치 망에 불확실 일시적으로 커졌을 경우 잠정적으로 분석 중단. 목표 미제시.

의견 시장 상황에 따라 급 과 일시적으로 다 수 있음.

동 조분석에서 제시된 업종 의견은 시장 대비 업종의 초과수익률 수에 근거한 것으로, 개별 종목에 대한 의견과 다 수 있음. ㆍOverweight: 해 업종 수익률 향후 12개월 동안 KOSPI 수익률을 상회할 것으로 예상 경우 ㆍNeutral: 해 업종 수익률 향후 12개월 동안 KOSPI 수익률과 유할 것으로 예상 경우 ㆍUnderweight: 해 업종 수익률 향후 12개월 동안 KOSPI 수익률을 회할 것으로 예상되 경우 주) 업종 수익률은 위험을 감안한 수치

>> 최근 2년간 투자등급 및 목표주가 변경내용

◎ 삼전자 (005930) 일자 2011.6.27 2011.7.27 2011.7.29 2011.8.1 2011.9.27 투자의견 BUY BUY BUY BUY Not Rated 애널리스트 목표주가 1,100,000원 1,100,000원 1,100,000원 1,300,000원 변경 일자 2012.2.20 2012.3.12 2012.3.26 2012.3.28 2012.4.30 2012.5.21 투자의견 BUY BUY BUY BUY BUY Not Rated 목표주가 1,500,000원 1,500,000원 1,500,000원 1,700,000원 1,700,000원 일자 2012.8.27 2012.9.25 2012.10.29 2012.11.13 2012.11.20 투자의견 애널리스트 BUY BUY BUY BUY BUY 목표주가 변경 1,700,000원 1,650,000원 1,650,000원 1,650,000원 1,650,000원 일자 2012.12.17 2013.1.3 2013.1.16 2013.1.28 2013.1.31 2013.2.26 투자의견 BUY BUY BUY BUY BUY BUY 목표주가 1,650,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 일자 2013.3.13 2013.3.18 2013.3.25 2013.4.1 2013.4.8 2013.4.12 투자의견 BUY BUY BUY BUY BUY BUY 목표주가 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 2,100,000원 2,100,000원 일자 2013.4.16 2013.4.29 2013.5.2 2013.5.13 2013.5.16 2013.5.27 투자의견 BUY BUY BUY BUY BUY BUY 목표주가 2,100,000원 2,100,000원 2,100,000원 2,100,000원 2,100,000원 2,100,000원 일자 2013.6.4 2013.6.12 2013.6.17 2013.6.26 2013.7.2 2013.7.16 투자의견 BUY BUY BUY BUY BUY BUY 목표주가 2,100,000원 2,100,000원 2,100,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 일자 2013.7.19 2013.8.2 2013.8.16 2013.9.3 2013.9.9 투자의견 BUY BUY BUY BUY BUY 목표주가 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원

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◎ SK하닉스 (000660) 일자 2011.7.21 2011.7.22 2011.9.27 2012.2.20 2012.3.28 투자의견 BUY BUY Not Rated 애널리스트 BUY BUY 목표주가 40,000원 36,000원 변경 36,000원 36,000원 일자 2012.4.27 2012.5.21 2012.8.27 2012.9.25 2012.10.25 투자의견 BUY Not Rated 애널리스트 BUY BUY BUY 목표주가 36,000원 변경 27,000원 27,000원 30,000원 일자 2012.11.13 2012.11.20 2012.12.17 2013.1.3 2013.1.16 2013.1.31 투자의견 BUY BUY BUY BUY BUY BUY 목표주가 30,000원 30,000원 30,000원 30,000원 30,000원 30,000원 일자 2013.2.26 2013.3.11 2013.3.13 2013.3.18 2013.3.25 2013.4.1 투자의견 BUY BUY BUY BUY BUY BUY 목표주가 30,000원 33,000원 33,000원 33,000원 35,000원 35,000원 일자 2013.4.12 2013.4.16 2013.4.25 2013.5.2 2013.5.13 2013.5.16 투자의견 BUY BUY BUY BUY BUY BUY 목표주가 35,000원 35,000원 39,000원 39,000원 39,000원 39,000원 일자 2013.5.27 2013.6.4 2013.6.12 2013.6.17 2013.6.26 2013.7.2 투자의견 BUY BUY BUY BUY BUY BUY 목표주가 41,000원 41,000원 41,000원 41,000원 41,000원 41,000원 일자 2013.7.12 2013.7.16 2013.7.19 2013.7.26 2013.8.2 2013.8.16 투자의견 BUY BUY BUY BUY BUY BUY 목표주가 41,000원 41,000원 41,000원 41,000원 41,000원 41,000원 일자 2013.9.3 2013.9.9 투자의견 BUY BUY 목표주가 41,000원 41,000원

◎ 삼전자(005930) ◎ SK하닉스(000660)

5/733/333 +❺, Ⅶ⇛⢮⠺ ᭓㔆⦦ಪ 78/333 +❺, VN㘂⠞፳⍎ ᭓㔆⦦ಪ

애널리스트 변경 73/333 5/333/333 애널리스트 변경 68/333 4/933/333 63/333 58/333 4/533/333 53/333 ;33/333 48/333 43/333 733/333 8/333 3 3 Mxo044 Rfw044 Mdq045 Dsu045 Mxo045 Rfw045 Mdq046 Dsu046 Mxo046 Mxo044 Rfw044 Mdq045 Dsu045 Mxo045 Rfw045 Mdq046 Dsu046 Mxo046

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