Wird Mioty Zum „Lora-Killer“? Lar
Total Page：16
File Type：pdf, Size：1020Kb
27.3.2020 13/2020 ISSN 0344-8843 € 6, – www.markt-technik.de Rutronik_MT43.pdf;S: 1;Format:(45.00 x 45.00 mm);08.Oct 2018 10:40:55 Bild: IBM 28,5 MILLIARDEN BAUTEILE SOFORT VERSANDBEREIT ! Die e-commerce Plattform Ihres Broadline Distributors www.rutronik24.com Fraunhofer und IBM wollen das Quantencomputing in Deutschland voranbringen. Dazu wird ein IBM-Q-System-One- Quantencomputer in einem Rechenzentrum von IBM Deutschland installiert, der erste seiner Art in Europa. Seite 9 Hintergründe zu STMicroelectronics‘ Offensive in Sachen Wideband-Gap SPECIAL: STROMVERSORGUNG Warum ST nun Vollgas gibt Seite 23 INTERVIEW DER WOCHE it massiven Investitionen in schlagenen Strategie bei SiC unter- men SiC-Dioden in Catania und seit mit Jens Holzhammer, Mseine SiC- und GaN-Produk- scheidet. September 2014 SiC-MOSFETs. Moxa Europe Seite 12 tionskapazitäten will STMicroelec- ST ist in puncto SiC wahrlich Darüber hinaus ist ST nach eigener SCHWERPUNKT tronics sich bis 2025 eine führende kein Nachzügler. Bereits seit Okto- Darstellung bislang der einzige Mikrocontroller/Prozessoren/ Position auf dem Weltmarkt si- ber 2007 produziert das Unterneh- Halbleiter hersteller, Seite 3 DSPs Seite 18 chern. Allein im SiC-Segment will das Unternehmen seinen Umsatz von über 100 Millionen Dollar im Neuer LPWAN-Mitspieler Jahr 2018 bis 2025 auf über 1 Mil- liarde Dollar steigern – 2019 lag er bereits bei über 200 Millionen Dol- Wird Mioty zum „LoRa-Killer“? lar. Nach Darstellung von Jean- at sich mit der Gründung der war. Einige sprachen von Mioty so- nischDigi-Key_MT05_8-9_Mill_DE_DE_Snipe.pdf;S: habe Mioty eine 1;Format:(60.00 neue x Evo50.00 mm);22.Jan- 2020 11:21:57 Marc Chery, President und CEO HMioty-Allianz auf der em- gar schon als dem „LoRa-Killer“. lutionsebene erreicht, was ganz nor- von STMicroelectronics, strebt das bedded world 2020 ein ernst zu neh- Das sieht Hermann Trottler, mal sei, weil LoRa immerhin schon Unternehmen in fünf Jahren einen mender Wettbewerber zu LoRa- Chairman des Excecutive Board der zehn Jahre am Markt ist: »Da ist es Marktanteil von über 30 Prozent an. WAN in Position gebracht? Vielen Mioty-Allianz, denn doch etwas an- ganz natürlich, dass die Technik Ähnlich ambitioniert sind STs schien es so, weil Mioty technisch ders: »Wir betrachten LoRa nicht mal wieder einen Sprung Pläne im GaN-Bereich. Auch dort in wesentlichen Punkten überlegen als Wettbewerber, sondern als Weg- nach vorne macht«, will sich das Unternehmen in den ist, was besonders auf dem Gebiet bereiter. LoRa ist eine etablierte erklärte er gegen- nächsten Jahren eine führende Stel- der Campus-Netze zum Tragen Technik, es besteht ein umfassendes über Markt& lung sichern, auch wenn sich der kommt, wo LoRaWAN über die Ecosystem. Mioty steht dagegen Technik. Weg zu diesem Ziel von der einge- vergangenen Jahre sehr erfolgreich erst ganz am Anfang.« Doch tech- Seite 8 Digi-Key_MT13.pdf;S: 1;Format:(230.00 x 297.00 mm);17.Mar 2020 11:33:47 Aktuell Nachrichten Fortsetzung von Seite 1 Warum ST nun Vollgas gibt der SiC-Leistungshalbleiter mit verfolgt ST die Strategie einer ver- Wachstumspotenzial billigen die von ST den Automotive-Applika- Automotive-Zulassung in Serie tikalen Integration. Vor diesem Marktforscher dabei Applikatio- tionen. Anfang März dann der produziert. Treibender Motor für Hintergrund übernahm ST bereits nen im HEV- und EV-Bereich nächste Zug: ST übernimmt die die Expansionspläne dürfte auch im Februar 2019 eine Mehrheit am (553 Prozent) sowie im Bereich in- Mehrheit am 2014 gegründeten die Tatsache sein, dass ST den schwedischen SiC-Waferhersteller dustrieller Antriebe (319 Prozent) französischen GaN-Pionier Exa- Elektrofahrzeug-Pionier Tesla be- Norstel. Im ersten Schritt über- und EV-Ladestationen (240 Pro- gan. Die Vereinbarung sieht vor, liefert. Nach Einschätzung von nahm ST 55 Prozent der Anteile. zent). STs Motivation, in GaN zu dass ST die Möglichkeit hat, Exa- Marktanalysten dürfte ST inzwi- Im Dezember 2019 gab ST dann investieren, dürfte vor allem von gan 24 Monate nach der Erlangung schen nach Cree/Wolfspeed Num- bekannt, Norstel komplett über- der Tatsache getrieben sein, dass des Mehrheitsanteils zu überneh- mer 2 am Markt sein, noch vor nommen zu haben, zu einem Preis das Unternehmen für sich in An- men. Rohm Semiconductor und Infi- von 137,5 Millionen Dollar. Mit spruch nimmt, zusammen mit dem neon Technologies. Zu den Unter- Norstel stärkt ST nicht nur seine zweiten dominierenden Hersteller Führend im Hinblick nehmen, die in diesem Bereich Versorgung mit 150-mm-Roh- und von Power-MOSFETs (Infineon) auf den Automotive derzeit am schnellsten aufholen, Epitaxial-Wafern, sondern auch rund 50 Prozent des Marktes zu be- > Grade gehört für die Marktforscher On seine R&D-Bemühungen in Sa- Semiconductor. chen 200-mm-SiC-Wafer. ST will Exagan gilt als führend im Hin- Neben Tesla beliefert ST, wie zu 8-Zoll-Wafern übergehen, wenn blick auf den Automotive Grade letzten September bekannt gege- der Markt dies erfordert. Da Cree/ seiner Produkte, ein Umstand, der ben wurde, auch Renault-Nissan- Wolfspeed ab 2021 entsprechende ST ebenso zu dieser Akquisition Mitsubishi mit entsprechenden Pläne verfolgt, dürfte ST die Mi- bewogen haben dürfte wie das SiC-Lösungen Auch bei den Mit- gration auf 8-Zoll-Wafer wohl in End-to-End-Know-how von Exa- gliedern der französisch-japani- den kommenden zwei, drei Jahren gan in puncto GaN-Entwicklung. schen Automobilallianz geht es da- vorantreiben. Exagans erste marktfähige Pro- rum, mit SiC-Bauteilen leistungs- dukte werden den USB-PD- und fähige Onboard-Ladegeräte zu ent- SiC-Markt den Stromversorgungsmarkt als wickeln und einzusetzen. Zu den verfünffacht sich Ziel haben. ST wird den finalen weiteren Namen auf der Kunden- > bis 2028 Abschluss der Entwicklungsphase liste aus dem Automobilbereich und die Markteinführung der Pro- gehört der koreanische Hersteller Welches Potenzial die SiC-Ak- Jean-Marc Chery, dukte unterstützen. STs GaN-Ent- Hyundai Kia Motor Company. In tivitäten von ST in Zukunft bieten, STMicroelectronics wicklungsanstrengungen in Cata- Summe benennt ST derzeit 51 SiC- zeigen Marktprognosen von IHS »Wir haben ein starkes Momen- nia werden fortgesetzt, auch der im tum im SiC-Bereich aufgebaut; Projekte mit 26 Kunden. Dabei aus dem letzten Jahr. Darin gingen die Übernahme der Mehrheit an Vorjahr angekündigte Aufbau einer geht es konkret um 27 Projekte mit die Marktforscher davon aus, dass Exagan ist ein weiterer Schritt, GaN-Pilotlinie in Tours läuft wie 15 Automotive-Kunden und 24 In- sich der Umsatz im SiC-Markt von unsere technologische Führerschaft geplant. im Leistungshalbleiterbereich zu dustrieelektronikprojekte mit elf 983,7 Millionen Dollar im Jahr stärken und unsere GaN-Roadmap ST seinerseits hat für die erste Kunden aus diesem Bereich. 2019 auf 4,831 Milliarden Dollar voranzubringen.« Jahreshälfte 2020 Engineering Von der Patentseite her ist ST bis 2028 erhöht. Motorantriebe Samples seiner STPower-GaN- im SiC-Bereich gut aufgestellt, das weisen dabei mit 430 Prozent die Produkte angekündigt. Dabei wird Unternehmen hält über 70 Patente. höchsten Wachstumsraten auf, ge- dienen. Ähnlich wie die SiC-Akti- es sich um 650-V-Bausteine han- In puncto Wafer-Versorgung fährt folgt von EV-Ladestationen und vitäten der Absicherung von STs deln, deren Einschaltwiderstände das Unternehmen zweigleisig. So Nutzkraftwagen. Fast 50 Prozent Marktposition im Bereich IGBT- bei 65 und 120 mΩ liegen werden. verlängerte ST erst im November des Umsatzes werden 2028 auf Anwendungen im Automotive- Untergebracht sind sie in Power- letzten Jahres ein langjähriges Lie- Module entfallen, 20 Prozent auf und im Industriesektor dienen Flat- und 2SPAK-Gehäusen. In der ferabkommen mit Cree über die MOSFETs und 16,9 Prozent auf dürften, zielen die GaN-Aktivitä- ersten Jahreshälfte 2021 sollen Lieferung von SiC-Roh- und -Epi- Dioden. ten auf die Absicherung der Markt- dann 100-V-Bausteine mit 3 und taxial-Wafern und verdoppelte des- Im GaN-Bereich ist ST erkenn- stellung im Power-MOSFET-Be- 5 mΩ im 2SPAK-Gehäuse folgen. sen Wert auf über 500 Millionen bar noch nicht so weit wie bei SiC. reich. Eine Verlagerung der Exagan-Pro- Dollar. Im Januar dieses Jahres gab Aber wie SiC bietet dieses Wide- Vor dem Hintergrund der eige- duktion von der X-Fab zu TSMC ST dann bekannt, mit der zur band-Gap-Material in den nächs- nen R&D-Anstrengungen in Zu- ist nicht geplant, da Exagans Road- Rohm-Gruppe gehörenden SiCrys- ten neun Jahren nach Einschätzung sammenarbeit mit CEA-Leti im map auf 200-mm-Linien ausgelegt tal einen mehrjährigen Lieferver- des Marktforschungsunterneh- GaN-Bereich gab ST Ende Februar ist und nicht auf 150 mm wie bei trag über 150-mm-SiC-Wafer im mens IHS riesiges Wachstumspo- dieses Jahres eine Zusammenarbeit TSMC. Analysten erwarten, dass Wert von über 120 Millionen Dol- tenzial. Ausgehend von einem Um- mit TSMC bekannt, die zum Ziel ST sehr schnell GaN-System-ICs lar abgeschlossen zu haben. satzvolumen von 137,3 Millionen hat, die Entwicklung und Markt- oder Leistungsstufen entwickelt, Um auf einem Wachstumsfeld Dollar im Vorjahr soll der GaN- einführung von GaN-Leistungs- welche die Treiber-ICs von ST mit wie SiC in Zukunft unabhängiger Markt bis 2028 auf 1,425 Milliar- halbleitern voranzutreiben. Auch GaN-Chips von Exagan kombinie- von Wettbewerbern zu werden, den Dollar wachsen. Das größte hier gilt das besondere Interesse ren. (eg) n Nr. 13/2020 www.markt-technik.de 3 aktuell|Nachrichten Fraunhofer und IBM: Erster IBM-Quanten rechner für Deutschland 9 Leiterplattenmarkt DACH 2019: Weniger Umsatz,